品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM190N08CZ C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8600pF@30V
连续漏极电流:190A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@90A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM190N08CZ C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8600pF@30V
连续漏极电流:190A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@90A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SIHB24N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
输入电容:2740pF@100V
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:24A
栅极电荷:122nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA46N15
栅极电荷:110nC@10V
功率:250W
类型:N沟道
漏源电压:150V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
导通电阻:42mΩ@25A,10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
输入电容:3250pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SiHB28N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:28A
功率:250W
类型:N沟道
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
输入电容:2714pF@100V
栅极电荷:120nC@10V
导通电阻:123mΩ@14A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP28N65E-GE3
连续漏极电流:29A
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
类型:N沟道
栅极电荷:140nC@10V
输入电容:3405pF@100V
漏源电压:650V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:112mΩ@14A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SIHB30N60E-GE3
连续漏极电流:29A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:130nC@10V
功率:250W
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@15A,10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@100V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW34NM60N
输入电容:2722pF@100V
连续漏极电流:29A
栅极电荷:80nC@10V
工作温度:150℃
导通电阻:105mΩ@14.5A,10V
功率:250W
类型:N沟道
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW34NM60N
输入电容:2722pF@100V
连续漏极电流:29A
栅极电荷:80nC@10V
工作温度:150℃
导通电阻:105mΩ@14.5A,10V
功率:250W
类型:N沟道
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SIHB30N60E-GE3
连续漏极电流:29A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:130nC@10V
功率:250W
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@15A,10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@100V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP24N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
输入电容:2740pF@100V
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:24A
栅极电荷:122nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STP34NM60N
输入电容:2722pF@100V
连续漏极电流:29A
栅极电荷:80nC@10V
工作温度:150℃
导通电阻:105mΩ@14.5A,10V
功率:250W
类型:N沟道
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STP34NM60N
输入电容:2722pF@100V
连续漏极电流:29A
栅极电荷:80nC@10V
工作温度:150℃
导通电阻:105mΩ@14.5A,10V
功率:250W
类型:N沟道
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):SIHG30N60E-GE3
连续漏极电流:29A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:130nC@10V
功率:250W
包装方式:管件
输入电容:2600pF@100V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
导通电阻:125mΩ
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):TSM190N08CZ C0G
漏源电压:75V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:4.2mΩ@90A,10V
功率:250W
输入电容:8600pF@30V
连续漏极电流:190A
类型:N沟道
包装方式:管件
栅极电荷:160nC@10V
阈值电压:4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SIHB28N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:28A
功率:250W
类型:N沟道
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
输入电容:2714pF@100V
栅极电荷:120nC@10V
导通电阻:123mΩ@14A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRFB13N50APBF
漏源电压:500V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:81nC@10V
功率:250W
类型:N沟道
输入电容:1910pF@25V
包装方式:管件
连续漏极电流:14A
导通电阻:450mΩ@8.4A,10V
阈值电压:4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA46N15
栅极电荷:110nC@10V
功率:250W
类型:N沟道
漏源电压:150V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
导通电阻:42mΩ@25A,10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
输入电容:3250pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP40N65M2
导通电阻:99mΩ@16A,10V
连续漏极电流:32A
工作温度:150℃
功率:250W
类型:N沟道
漏源电压:650V
包装方式:管件
栅极电荷:56.5nC@10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:2355pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA46N15
栅极电荷:110nC@10V
功率:250W
类型:N沟道
漏源电压:150V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
导通电阻:42mΩ@25A,10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
输入电容:3250pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):SIHG24N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
输入电容:2740pF@100V
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:24A
栅极电荷:122nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SIHP35N60EF-GE3
连续漏极电流:32A
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2568pF@100V
功率:250W
类型:N沟道
栅极电荷:134nC@10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
导通电阻:97mΩ@17A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SIHP35N60EF-GE3
连续漏极电流:32A
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2568pF@100V
功率:250W
类型:N沟道
栅极电荷:134nC@10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
导通电阻:97mΩ@17A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SIHB30N60E-GE3
连续漏极电流:29A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:130nC@10V
功率:250W
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@15A,10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@100V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB28N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
包装方式:管件
连续漏极电流:28A
类型:N-Channel
导通电阻:123mΩ@14A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP25N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1980pF@100V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@12A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG25N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1980pF@100V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@12A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW40N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:88mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP28N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3405pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:112mΩ@14A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP120N075T2
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4740pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@60A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存: