品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG14N50D-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1144pF@100V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW36NM60ND
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:80.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2785pF@50V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD180N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1080pF@100V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:195mΩ@9,5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3T40P
工作温度:-50℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:139pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.3Ω@1A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP11NM60
工作温度:-65℃~150℃
功率:160W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N60NZTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH080N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:184W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2557pF@100V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH3N200P3HV
工作温度:-55℃~150℃
功率:520W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1860pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:8Ω@1.5A,10V
漏源电压:2000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD4N60TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD5T40P
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:273pF@100V
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:1.45Ω@1A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP52N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2900pF@25V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:49mΩ@26A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL33N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1870pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@10.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP4768PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:520W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:270nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10880pF@50V
连续漏极电流:93A
类型:N沟道
导通电阻:17.5mΩ@56A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP20N50F
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3390pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP57N65M5
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4200pF@100V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@21A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHF10N40D-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:526pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP2710
工作温度:-55℃~150℃
功率:260W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7280pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:42.5mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI4227PBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:46W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4600pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@17A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD186N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1118pF@100V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:201mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF9N90CT
工作温度:-55℃~150℃
功率:68W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2730pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@4A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA120N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1562pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTY4N65X2
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:455pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@2A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT2N300P3HV
工作温度:-55℃~155℃
功率:520W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1890pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:21Ω@1A,10V
漏源电压:3000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH041N60F
工作温度:-55℃~150℃
功率:595W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:360nC@10V
包装方式:管件
输入电容:14365pF@100V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@38A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF20N50FT
工作温度:-55℃~150℃
功率:38.5W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3390pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB28NM60ND
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:62.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2090pF@100V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@11.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP4229PBF
工作温度:-40℃~175℃
功率:310W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4560pF@25V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@26A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS4115TRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5270pF@50V
连续漏极电流:195A
类型:N沟道
导通电阻:12.1mΩ@62A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4127PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5380pF@50V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@44A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG080N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2557pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: