采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD3T40P
工作温度：-50℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：139pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD3T40P
工作温度：-50℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：139pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3N40TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD3T40P
工作温度：-50℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：139pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDU6N25
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：1.1Ω@2.2A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDU6N25
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：1.1Ω@2.2A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD3T40P
工作温度：-50℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：139pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3N40TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDU6N25
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：1.1Ω@2.2A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD3T40P
工作温度：-50℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：139pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD3T40P
工作温度：-50℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：139pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDU6N25
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：1.1Ω@2.2A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：散装
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：1.1Ω@2.2A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3N40TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3N40TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDU6N25
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：1.1Ω@2.2A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD3T40P
工作温度：-50℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：139pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD3T40P
工作温度：-50℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：139pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD3T40P
工作温度：-50℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：139pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD3T40P
工作温度：-50℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：139pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3N40TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDU6N25
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：1.1Ω@2.2A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3N40TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3N40TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDU6N25
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：1.1Ω@2.2A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3N40TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3N40TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3N40TM
输入电容：225pF@25V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
栅极电荷：6nC@10V
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
功率：30W
ECCN：EAR99
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：5056，"13+"：1048693，"17+"：500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：散装
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：1.1Ω@2.2A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：1003}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT3N40TF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
