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    onsemi Mosfet场效应管 FDA24N50F 起订90个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDA24N50F 起订90个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDA24N50F

    漏源电压:500V

    导通电阻:200mΩ@12A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:85nC@10V

    输入电容:4310pF@25V

    包装方式:管件

    功率:270W

    连续漏极电流:24A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDA28N50F 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDA28N50F 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDA28N50F

    栅极电荷:105nC@10V

    漏源电压:500V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:28A

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:175mΩ@14A,10V

    功率:310W

    包装方式:管件

    输入电容:5387pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFB18N50KPBF 起订15个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFB18N50KPBF 起订15个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFB18N50KPBF

    连续漏极电流:17A

    漏源电压:500V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:220W

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    包装方式:管件

    输入电容:2830pF@25V

    导通电阻:290mΩ@10A,10V

    栅极电荷:120nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3N50NZTM 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3N50NZTM 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD3N50NZTM

    漏源电压:500V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:8nC@10V

    功率:40W

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@1.25A,10V

    输入电容:280pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP18N50C-E3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP18N50C-E3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP18N50C-E3

    漏源电压:500V

    连续漏极电流:18A

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:76nC@10V

    阈值电压:5V@250µA

    导通电阻:270mΩ@10A,10V

    输入电容:2942pF@25V

    类型:N沟道

    功率:223W

    包装方式:管件

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N50TM-WS 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N50TM-WS 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N50TM-WS

    漏源电压:500V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    输入电容:640pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@2A,10V

    栅极电荷:15nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP18N50C-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP18N50C-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP18N50C-E3

    漏源电压:500V

    连续漏极电流:18A

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:76nC@10V

    阈值电压:5V@250µA

    导通电阻:270mΩ@10A,10V

    输入电容:2942pF@25V

    类型:N沟道

    功率:223W

    包装方式:管件

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF12N50T 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF12N50T 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF12N50T

    漏源电压:500V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    功率:42W

    包装方式:管件

    栅极电荷:30nC@10V

    输入电容:1315pF@25V

    导通电阻:650mΩ@6A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N50NZTM 起订100个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N50NZTM 起订100个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N50NZTM

    输入电容:440pF@25V

    漏源电压:500V

    导通电阻:1.5Ω@2A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62W

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:12nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDA18N50 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDA18N50 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDA18N50

    漏源电压:500V

    栅极电荷:60nC@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:2860pF@25V

    功率:239W

    阈值电压:5V@250µA

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    包装方式:管件

    导通电阻:265mΩ@9.5A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB45N50DM2AG 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STB45N50DM2AG 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB45N50DM2AG

    漏源电压:500V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    功率:250W

    类型:N沟道

    导通电阻:84mΩ@17.5A,10V

    栅极电荷:57nC@10V

    输入电容:2600pF@100V

    连续漏极电流:35A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP5N50D-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP5N50D-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP5N50D-GE3

    漏源电压:500V

    导通电阻:1.5Ω@2.5A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    功率:104W

    类型:N沟道

    包装方式:管件

    连续漏极电流:5.3A

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:325pF@100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDA28N50 起订30个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDA28N50 起订30个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDA28N50

    栅极电荷:105nC@10V

    漏源电压:500V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:28A

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    功率:310W

    包装方式:管件

    输入电容:5140pF@25V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:155mΩ@14A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N50NZTM 起订500个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N50NZTM 起订500个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N50NZTM

    输入电容:440pF@25V

    漏源电压:500V

    导通电阻:1.5Ω@2A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62W

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:12nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP32N50KPBF 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP32N50KPBF 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):25psc

    规格型号(MPN):IRFP32N50KPBF

    漏源电压:500V

    连续漏极电流:32A

    功率:460W

    输入电容:5280pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@32A,10V

    包装方式:管件

    栅极电荷:190nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF13N50FT 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF13N50FT 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"18+":18901,"21+":283,"MI+":2000}

    规格型号(MPN):FDPF13N50FT

    栅极电荷:39nC@10V

    漏源电压:500V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    功率:42W

    输入电容:1930pF@25V

    包装方式:管件

    导通电阻:540mΩ@6A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP8N50D-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP8N50D-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP8N50D-GE3

    漏源电压:500V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    输入电容:527pF@100V

    包装方式:管件

    连续漏极电流:8.7A

    栅极电荷:30nC@10V

    导通电阻:850mΩ@4A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF18N50D-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF18N50D-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHF18N50D-E3

    导通电阻:280mΩ@9A,10V

    漏源电压:500V

    输入电容:1500pF@100V

    连续漏极电流:18A

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:76nC@10V

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    功率:39W

    包装方式:管件

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP23N50LPBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP23N50LPBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP23N50LPBF

    漏源电压:500V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:3600pF@25V

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    连续漏极电流:23A

    导通电阻:235mΩ@14A,10V

    包装方式:管件

    功率:370W

    栅极电荷:150nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDL100N50F 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDL100N50F 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):25psc

    规格型号(MPN):FDL100N50F

    漏源电压:500V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2500W

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@50A,10V

    包装方式:管件

    输入电容:12000pF@25V

    连续漏极电流:100A

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:238nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG20N50C-E3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG20N50C-E3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):25psc

    规格型号(MPN):SIHG20N50C-E3

    连续漏极电流:20A

    漏源电压:500V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:76nC@10V

    阈值电压:5V@250µA

    导通电阻:270mΩ@10A,10V

    功率:250W

    输入电容:2942pF@25V

    类型:N沟道

    包装方式:管件

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N50NZTM 起订2个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N50NZTM 起订2个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N50NZTM

    输入电容:440pF@25V

    漏源电压:500V

    导通电阻:1.5Ω@2A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62W

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:12nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N50C-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N50C-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP12N50C-E3

    漏源电压:500V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:555mΩ@4A,10V

    连续漏极电流:12A

    功率:208W

    包装方式:管件

    输入电容:1375pF@25V

    栅极电荷:48nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840BPBF 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840BPBF 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF840BPBF

    漏源电压:500V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    输入电容:527pF@100V

    包装方式:管件

    连续漏极电流:8.7A

    栅极电荷:30nC@10V

    导通电阻:850mΩ@4A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB20N50F 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB20N50F 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):FDB20N50F

    栅极电荷:65nC@10V

    连续漏极电流:20A

    漏源电压:500V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    功率:250W

    类型:N沟道

    导通电阻:260mΩ@10A,10V

    输入电容:3390pF@25V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB12N50TM 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB12N50TM 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):FDB12N50TM

    漏源电压:500V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    栅极电荷:30nC@10V

    输入电容:1315pF@25V

    导通电阻:650mΩ@6A,10V

    功率:165W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDA18N50 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDA18N50 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDA18N50

    漏源电压:500V

    栅极电荷:60nC@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:2860pF@25V

    功率:239W

    阈值电压:5V@250µA

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    包装方式:管件

    导通电阻:265mΩ@9.5A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF20N50T 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF20N50T 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):FDPF20N50T

    栅极电荷:59.5nC@10V

    连续漏极电流:20A

    漏源电压:500V

    导通电阻:230mΩ@10A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38.5W

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    包装方式:管件

    ECCN:EAR99

    输入电容:3120pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF16N50UT 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF16N50UT 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF16N50UT

    漏源电压:500V

    导通电阻:480mΩ@7.5A,10V

    栅极电荷:45nC@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38.5W

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    包装方式:管件

    输入电容:1945pF@25V

    连续漏极电流:15A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDH45N50F-F133 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDH45N50F-F133 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDH45N50F-F133

    漏源电压:500V

    栅极电荷:137nC@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625W

    输入电容:6630pF@25V

    阈值电压:5V@250µA

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@22.5A,10V

    包装方式:管件

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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