品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA24N50F
漏源电压:500V
导通电阻:200mΩ@12A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:85nC@10V
输入电容:4310pF@25V
包装方式:管件
功率:270W
连续漏极电流:24A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA28N50F
栅极电荷:105nC@10V
漏源电压:500V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:28A
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:175mΩ@14A,10V
功率:310W
包装方式:管件
输入电容:5387pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB18N50KPBF
连续漏极电流:17A
漏源电压:500V
工作温度:-55℃~150℃
功率:220W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
包装方式:管件
输入电容:2830pF@25V
导通电阻:290mΩ@10A,10V
栅极电荷:120nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3N50NZTM
漏源电压:500V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:8nC@10V
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.25A,10V
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:2.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP18N50C-E3
漏源电压:500V
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:76nC@10V
阈值电压:5V@250µA
导通电阻:270mΩ@10A,10V
输入电容:2942pF@25V
类型:N沟道
功率:223W
包装方式:管件
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N50TM-WS
漏源电压:500V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
输入电容:640pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2A,10V
栅极电荷:15nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP18N50C-E3
漏源电压:500V
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:76nC@10V
阈值电压:5V@250µA
导通电阻:270mΩ@10A,10V
输入电容:2942pF@25V
类型:N沟道
功率:223W
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF12N50T
漏源电压:500V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
功率:42W
包装方式:管件
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1315pF@25V
导通电阻:650mΩ@6A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N50NZTM
输入电容:440pF@25V
漏源电压:500V
导通电阻:1.5Ω@2A,10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
工作温度:-55℃~150℃
功率:62W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:12nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA18N50
漏源电压:500V
栅极电荷:60nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2860pF@25V
功率:239W
阈值电压:5V@250µA
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
包装方式:管件
导通电阻:265mΩ@9.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB45N50DM2AG
漏源电压:500V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
功率:250W
类型:N沟道
导通电阻:84mΩ@17.5A,10V
栅极电荷:57nC@10V
输入电容:2600pF@100V
连续漏极电流:35A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP5N50D-GE3
漏源电压:500V
导通电阻:1.5Ω@2.5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
功率:104W
类型:N沟道
包装方式:管件
连续漏极电流:5.3A
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:325pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA28N50
栅极电荷:105nC@10V
漏源电压:500V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:28A
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
功率:310W
包装方式:管件
输入电容:5140pF@25V
ECCN:EAR99
导通电阻:155mΩ@14A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N50NZTM
输入电容:440pF@25V
漏源电压:500V
导通电阻:1.5Ω@2A,10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
工作温度:-55℃~150℃
功率:62W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:12nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):25psc
规格型号(MPN):IRFP32N50KPBF
漏源电压:500V
连续漏极电流:32A
功率:460W
输入电容:5280pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@32A,10V
包装方式:管件
栅极电荷:190nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"18+":18901,"21+":283,"MI+":2000}
规格型号(MPN):FDPF13N50FT
栅极电荷:39nC@10V
漏源电压:500V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
功率:42W
输入电容:1930pF@25V
包装方式:管件
导通电阻:540mΩ@6A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP8N50D-GE3
漏源电压:500V
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:527pF@100V
包装方式:管件
连续漏极电流:8.7A
栅极电荷:30nC@10V
导通电阻:850mΩ@4A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHF18N50D-E3
导通电阻:280mΩ@9A,10V
漏源电压:500V
输入电容:1500pF@100V
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:76nC@10V
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
功率:39W
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP23N50LPBF
漏源电压:500V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:3600pF@25V
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:23A
导通电阻:235mΩ@14A,10V
包装方式:管件
功率:370W
栅极电荷:150nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):25psc
规格型号(MPN):FDL100N50F
漏源电压:500V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2500W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@50A,10V
包装方式:管件
输入电容:12000pF@25V
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
栅极电荷:238nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):25psc
规格型号(MPN):SIHG20N50C-E3
连续漏极电流:20A
漏源电压:500V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:76nC@10V
阈值电压:5V@250µA
导通电阻:270mΩ@10A,10V
功率:250W
输入电容:2942pF@25V
类型:N沟道
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N50NZTM
输入电容:440pF@25V
漏源电压:500V
导通电阻:1.5Ω@2A,10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
工作温度:-55℃~150℃
功率:62W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:12nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP12N50C-E3
漏源电压:500V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:555mΩ@4A,10V
连续漏极电流:12A
功率:208W
包装方式:管件
输入电容:1375pF@25V
栅极电荷:48nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF840BPBF
漏源电压:500V
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:527pF@100V
包装方式:管件
连续漏极电流:8.7A
栅极电荷:30nC@10V
导通电阻:850mΩ@4A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB20N50F
栅极电荷:65nC@10V
连续漏极电流:20A
漏源电压:500V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
功率:250W
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@10A,10V
输入电容:3390pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB12N50TM
漏源电压:500V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1315pF@25V
导通电阻:650mΩ@6A,10V
功率:165W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA18N50
漏源电压:500V
栅极电荷:60nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2860pF@25V
功率:239W
阈值电压:5V@250µA
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
包装方式:管件
导通电阻:265mΩ@9.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDPF20N50T
栅极电荷:59.5nC@10V
连续漏极电流:20A
漏源电压:500V
导通电阻:230mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:38.5W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
包装方式:管件
ECCN:EAR99
输入电容:3120pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF16N50UT
漏源电压:500V
导通电阻:480mΩ@7.5A,10V
栅极电荷:45nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:38.5W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
包装方式:管件
输入电容:1945pF@25V
连续漏极电流:15A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH45N50F-F133
漏源电压:500V
栅极电荷:137nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
输入电容:6630pF@25V
阈值电压:5V@250µA
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@22.5A,10V
包装方式:管件
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: