包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW48N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3250pF@100V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:79mΩ@20A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SIHB120N60E-GE3
栅极电荷:45nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
功率:179W
导通电阻:120mΩ@12A,10V
连续漏极电流:25A
包装方式:管件
漏源电压:600V
输入电容:1562pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH072N60F
工作温度:-55℃~150℃
功率:481W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@26A,10V
栅极电荷:215nC@10V
包装方式:管件
漏源电压:600V
连续漏极电流:52A
ECCN:EAR99
输入电容:8660pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD5N60TM-WS
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@2.3A,10V
连续漏极电流:4.6A
栅极电荷:16nC@10V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
功率:54W
输入电容:600pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH47N60-F133
输入电容:8000F@25V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:270nC@10V
功率:417W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:47A
包装方式:管件
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
导通电阻:70mΩ@23.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD620N60ZF
输入电容:1135pF@25V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:7.3A
功率:89W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:36nC@10V
漏源电压:600V
导通电阻:620mΩ@3.6A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):450psc
规格型号(MPN):FCA36N60NF
连续漏极电流:34.9A
导通电阻:95mΩ@18A,10V
输入电容:4245pF@100V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
包装方式:管件
栅极电荷:112nC@10V
漏源电压:600V
功率:312W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":7,"19+":1752,"20+":272367,"MI+":7200}
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FCB11N60TM
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
栅极电荷:52nC@10V
功率:125W
漏源电压:600V
输入电容:1490pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK075N60EF-T1GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:192W
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:2954pF@100V
栅极电荷:72nC@10V
连续漏极电流:33A
漏源电压:600V
导通电阻:71mΩ@15A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STF43N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:34A
包装方式:管件
导通电阻:93mΩ@17A,10V
栅极电荷:56nC@10V
漏源电压:600V
输入电容:2500pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FCP16N60
栅极电荷:70nC@10V
输入电容:2250pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
功率:167W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
包装方式:管件
漏源电压:600V
导通电阻:260mΩ@8A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:16A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SIHP068N60EF-GE3
输入电容:2628pF@100V
导通电阻:68mΩ@16A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
功率:250W
栅极电荷:77nC@10V
类型:N沟道
包装方式:管件
漏源电压:600V
连续漏极电流:41A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N60NZTM
功率:83W
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
输入电容:600pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF7N60NZT
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
类型:N沟道
包装方式:管件
导通电阻:1.25Ω@3.25A,10V
漏源电压:600V
输入电容:730pF@25V
功率:33W
连续漏极电流:6.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD240N60E-GE3
输入电容:783pF@100V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
功率:78W
连续漏极电流:12A
栅极电荷:23nC@10V
导通电阻:240mΩ@5.5A,10V
包装方式:管件
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FCPF20N60
连续漏极电流:20A
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:3080pF@25V
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
栅极电荷:98nC@10V
功率:39W
包装方式:管件
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK075N60EF-T1GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:192W
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:2954pF@100V
栅极电荷:72nC@10V
连续漏极电流:33A
漏源电压:600V
导通电阻:71mΩ@15A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD4N60TM
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:3.9A
功率:50W
栅极电荷:16.6nC@10V
输入电容:540pF@25V
漏源电压:600V
导通电阻:1.2Ω@2A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10NM60ND
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
功率:70W
输入电容:577pF@50V
连续漏极电流:8A
栅极电荷:20nC@10V
漏源电压:600V
导通电阻:600mΩ@4A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK075N60EF-T1GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:192W
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:2954pF@100V
栅极电荷:72nC@10V
连续漏极电流:33A
漏源电压:600V
导通电阻:71mΩ@15A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SIHF080N60E-GE3
功率:35W
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
包装方式:管件
连续漏极电流:14A
输入电容:2557pF@100V
栅极电荷:63nC@10V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
导通电阻:80mΩ@17A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):AOWF12T60P
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:50nC@10V
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
功率:28W
输入电容:2028pF@100V
导通电阻:520mΩ@6A,10V
包装方式:管件
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQI7N60TU
连续漏极电流:7.4A
导通电阻:1Ω@3.7A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
包装方式:管件
输入电容:1430pF@25V
漏源电压:600V
功率:3.13W€142W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"18+":219}
规格型号(MPN):FCA20N60F
连续漏极电流:20A
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:3080pF@25V
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
栅极电荷:98nC@10V
功率:208W
包装方式:管件
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FQB7N60TM
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:7.4A
导通电阻:1Ω@3.7A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
输入电容:1430pF@25V
漏源电压:600V
功率:3.13W€142W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD7N60TM-WS
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:920pF@25V
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
栅极电荷:30nC@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):IRFP22N60KPBF
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:3570pF@25V
导通电阻:280mΩ@13A,10V
连续漏极电流:22A
包装方式:管件
功率:370W
漏源电压:600V
栅极电荷:150nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"18+":835}
规格型号(MPN):FDP10N60NZ
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
功率:185W
包装方式:管件
输入电容:1475pF@25V
漏源电压:600V
栅极电荷:30nC@10V
导通电阻:750mΩ@5A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FCP16N60
栅极电荷:70nC@10V
输入电容:2250pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
功率:167W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
包装方式:管件
漏源电压:600V
导通电阻:260mΩ@8A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:16A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH070N60EF-T1GE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:75nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:36A
功率:202W
漏源电压:600V
输入电容:2647pF@100V
导通电阻:71mΩ@15A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: