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    ST Mosfet场效应管 STW48N60DM2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STW48N60DM2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW48N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3250pF@100V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:79mΩ@20A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB120N60E-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB120N60E-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):SIHB120N60E-GE3

    栅极电荷:45nC@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    功率:179W

    导通电阻:120mΩ@12A,10V

    连续漏极电流:25A

    包装方式:管件

    漏源电压:600V

    输入电容:1562pF@100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FCH072N60F 起订1个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FCH072N60F 起订1个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH072N60F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:481W

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@26A,10V

    栅极电荷:215nC@10V

    包装方式:管件

    漏源电压:600V

    连续漏极电流:52A

    ECCN:EAR99

    输入电容:8660pF@100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD5N60TM-WS 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD5N60TM-WS 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD5N60TM-WS

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@2.3A,10V

    连续漏极电流:4.6A

    栅极电荷:16nC@10V

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    功率:54W

    输入电容:600pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH47N60-F133 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH47N60-F133 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH47N60-F133

    输入电容:8000F@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:270nC@10V

    功率:417W

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    连续漏极电流:47A

    包装方式:管件

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:70mΩ@23.5A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD620N60ZF 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD620N60ZF 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD620N60ZF

    输入电容:1135pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:7.3A

    功率:89W

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:36nC@10V

    漏源电压:600V

    导通电阻:620mΩ@3.6A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCA36N60NF 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCA36N60NF 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):450psc

    规格型号(MPN):FCA36N60NF

    连续漏极电流:34.9A

    导通电阻:95mΩ@18A,10V

    输入电容:4245pF@100V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    包装方式:管件

    栅极电荷:112nC@10V

    漏源电压:600V

    功率:312W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":7,"19+":1752,"20+":272367,"MI+":7200}

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):FCB11N60TM

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    栅极电荷:52nC@10V

    功率:125W

    漏源电压:600V

    输入电容:1490pF@25V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK075N60EF-T1GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK075N60EF-T1GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHK075N60EF-T1GE3

    包装方式:卷带(TR)

    功率:192W

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    输入电容:2954pF@100V

    栅极电荷:72nC@10V

    连续漏极电流:33A

    漏源电压:600V

    导通电阻:71mΩ@15A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF43N60DM2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STF43N60DM2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):STF43N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    连续漏极电流:34A

    包装方式:管件

    导通电阻:93mΩ@17A,10V

    栅极电荷:56nC@10V

    漏源电压:600V

    输入电容:2500pF@100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCP16N60 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCP16N60 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):FCP16N60

    栅极电荷:70nC@10V

    输入电容:2250pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:167W

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    包装方式:管件

    漏源电压:600V

    导通电阻:260mΩ@8A,10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:16A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP068N60EF-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP068N60EF-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):SIHP068N60EF-GE3

    输入电容:2628pF@100V

    导通电阻:68mΩ@16A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    功率:250W

    栅极电荷:77nC@10V

    类型:N沟道

    包装方式:管件

    漏源电压:600V

    连续漏极电流:41A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N60NZTM 起订100个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N60NZTM 起订100个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N60NZTM

    功率:83W

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    输入电容:600pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF7N60NZT 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF7N60NZT 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF7N60NZT

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    类型:N沟道

    包装方式:管件

    导通电阻:1.25Ω@3.25A,10V

    漏源电压:600V

    输入电容:730pF@25V

    功率:33W

    连续漏极电流:6.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD240N60E-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD240N60E-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD240N60E-GE3

    输入电容:783pF@100V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    功率:78W

    连续漏极电流:12A

    栅极电荷:23nC@10V

    导通电阻:240mΩ@5.5A,10V

    包装方式:管件

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF20N60 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF20N60 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):FCPF20N60

    连续漏极电流:20A

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:3080pF@25V

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    栅极电荷:98nC@10V

    功率:39W

    包装方式:管件

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK075N60EF-T1GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK075N60EF-T1GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHK075N60EF-T1GE3

    包装方式:卷带(TR)

    功率:192W

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    输入电容:2954pF@100V

    栅极电荷:72nC@10V

    连续漏极电流:33A

    漏源电压:600V

    导通电阻:71mΩ@15A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD4N60TM

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    连续漏极电流:3.9A

    功率:50W

    栅极电荷:16.6nC@10V

    输入电容:540pF@25V

    漏源电压:600V

    导通电阻:1.2Ω@2A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD10NM60ND 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STD10NM60ND 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD10NM60ND

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    功率:70W

    输入电容:577pF@50V

    连续漏极电流:8A

    栅极电荷:20nC@10V

    漏源电压:600V

    导通电阻:600mΩ@4A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK075N60EF-T1GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK075N60EF-T1GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHK075N60EF-T1GE3

    包装方式:卷带(TR)

    功率:192W

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    输入电容:2954pF@100V

    栅极电荷:72nC@10V

    连续漏极电流:33A

    漏源电压:600V

    导通电阻:71mΩ@15A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF080N60E-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF080N60E-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):SIHF080N60E-GE3

    功率:35W

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    包装方式:管件

    连续漏极电流:14A

    输入电容:2557pF@100V

    栅极电荷:63nC@10V

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:80mΩ@17A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOWF12T60P 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AOWF12T60P 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):AOWF12T60P

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:50nC@10V

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    功率:28W

    输入电容:2028pF@100V

    导通电阻:520mΩ@6A,10V

    包装方式:管件

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQI7N60TU 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQI7N60TU 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQI7N60TU

    连续漏极电流:7.4A

    导通电阻:1Ω@3.7A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    类型:N沟道

    包装方式:管件

    输入电容:1430pF@25V

    漏源电压:600V

    功率:3.13W€142W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCA20N60F 起订101个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCA20N60F 起订101个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"18+":219}

    规格型号(MPN):FCA20N60F

    连续漏极电流:20A

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:3080pF@25V

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    栅极电荷:98nC@10V

    功率:208W

    包装方式:管件

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQB7N60TM 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB7N60TM 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):FQB7N60TM

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:7.4A

    导通电阻:1Ω@3.7A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    类型:N沟道

    输入电容:1430pF@25V

    漏源电压:600V

    功率:3.13W€142W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM-WS 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM-WS 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD7N60TM-WS

    功率:83W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:920pF@25V

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    栅极电荷:30nC@10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP22N60KPBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP22N60KPBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):500psc

    规格型号(MPN):IRFP22N60KPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    输入电容:3570pF@25V

    导通电阻:280mΩ@13A,10V

    连续漏极电流:22A

    包装方式:管件

    功率:370W

    漏源电压:600V

    栅极电荷:150nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP10N60NZ 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP10N60NZ 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"18+":835}

    规格型号(MPN):FDP10N60NZ

    连续漏极电流:10A

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    功率:185W

    包装方式:管件

    输入电容:1475pF@25V

    漏源电压:600V

    栅极电荷:30nC@10V

    导通电阻:750mΩ@5A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCP16N60 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCP16N60 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):FCP16N60

    栅极电荷:70nC@10V

    输入电容:2250pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:167W

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    包装方式:管件

    漏源电压:600V

    导通电阻:260mΩ@8A,10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:16A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH070N60EF-T1GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH070N60EF-T1GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH070N60EF-T1GE3

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:75nC@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    连续漏极电流:36A

    功率:202W

    漏源电压:600V

    输入电容:2647pF@100V

    导通电阻:71mΩ@15A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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