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    类型: N沟道
    阈值电压: 2.4V@250µA
    包装方式: 卷带(TR)
    当前匹配商品:1600+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIJA52DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJA52DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJA52DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:48W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:150nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7150pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC10DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC10DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRC10DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:43W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1873pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRLS8409-7TRL 起订148个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRLS8409-7TRL 起订148个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"93+":455}

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRLS8409-7TRL

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:266nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:16488pF@25V

    连续漏极电流:240A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.75mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL40SC209 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL40SC209 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL40SC209

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:267nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15270pF@25V

    连续漏极电流:478A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.8mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18514Q5A 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18514Q5A 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18514Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2680pF@20V

    连续漏极电流:89A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC10DP-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC10DP-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRC10DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:43W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1873pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA462DJ-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA462DJ-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA462DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR172ADP-T1-GE3 起订9个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR172ADP-T1-GE3 起订9个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR172ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:29.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1515pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL40SC228 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL40SC228 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL40SC228

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:416W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:307nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:19680pF@25V

    连续漏极电流:557A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.65mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002P,215 起订90个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002P,215 起订90个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002P,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:360mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA28BDP-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA28BDP-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA28BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.8W€17W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:582pF@15V

    连续漏极电流:18A€38A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC10DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC10DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRC10DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:43W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1873pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC16DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC16DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRC16DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54.3W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:48nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5150pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.96mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4160DY-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4160DY-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4160DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2071pF@15V

    连续漏极电流:25.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA74DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA74DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA74DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.1W€46.2W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@20V

    连续漏极电流:24A€81.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18514Q5A 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18514Q5A 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18514Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2680pF@20V

    连续漏极电流:89A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4160DY-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4160DY-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4160DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2071pF@15V

    连续漏极电流:25.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18513Q5A 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18513Q5A 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18513Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4280pF@20V

    连续漏极电流:124A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3mΩ@19A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18513Q5A 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18513Q5A 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18513Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4280pF@20V

    连续漏极电流:124A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3mΩ@19A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA468DJ-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA468DJ-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA468DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1290pF@15V

    连续漏极电流:37.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.4mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7264E 起订13个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7264E 起订13个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7264E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.5W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@30V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA38EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA38EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA38EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18ADP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18ADP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:14.7W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:21.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:30.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.7mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18504Q5A 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18504Q5A 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18504Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€77W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1656pF@20V

    连续漏极电流:15A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG7408SFG-7 起订21个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG7408SFG-7 起订21个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG7408SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:478.9pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA72DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA72DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA72DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:56.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3240pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF2201NT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF2201NT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MMBF2201NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@5V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@300mA,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18514Q5AT 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18514Q5AT 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18514Q5AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2683pF@20V

    连续漏极电流:89A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJA74DP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJA74DP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJA74DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.1W€46.2W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@20V

    连续漏极电流:24A€81.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.99mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7422G 起订15个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7422G 起订15个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7422G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@15V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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