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    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFB-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFB-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2400UFB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:470mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@16V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB40UNEZ 起订9个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB40UNEZ 起订9个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMXB40UNEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW€8.33W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:11.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:556pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@3.2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI2300-TP 起订6个装
    MCC Mosfet场效应管 SI2300-TP 起订6个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2300-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:482pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFB-7 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFB-7 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2400UFB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:470mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@16V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV19XNEAR 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV19XNEAR 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV19XNEAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:610mW€8.3W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:18.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX6008NBKWX 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX6008NBKWX 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX6008NBKWX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW€1.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:27pF@30V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@300mA,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB29XNE,115 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB29XNE,115 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB29XNE,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€12.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:18.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB23XNE,115 起订23个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB23XNE,115 起订23个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB23XNE,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€12.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:17nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1136pF@10V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2044UCB4-7 起订14个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2044UCB4-7 起订14个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2044UCB4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:720mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:47nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCM6501UNEZ 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCM6501UNEZ 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMCM6501UNEZ

    工作温度:150℃

    功率:400mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1050pF@10V

    连续漏极电流:8.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:0.71nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21pF@6V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2450UFB4-7B 起订10000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2450UFB4-7B 起订10000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2450UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:1.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:56pF@16V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6968U-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6968U-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6968U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:151pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6968U-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6968U-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6968U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:151pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM320N03CX RFG 起订3000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM320N03CX RFG 起订3000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM320N03CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:8.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:792pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8472DB-T2-E1 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8472DB-T2-E1 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8472DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:18nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024U-7 起订14个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024U-7 起订14个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2024U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:7.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:647pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2020UFCL-7 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2020UFCL-7 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2020UFCL-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:610mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:21.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1788pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:0.71nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21pF@6V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012R-T1-GE3 起订20个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012R-T1-GE3 起订20个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1012R-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:0.75nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012X-T1-GE3 起订8个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012X-T1-GE3 起订8个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1012X-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:0.75nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2044UCB4-7 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2044UCB4-7 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2044UCB4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:720mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:47nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMX100UNEZ 起订11个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMX100UNEZ 起订11个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMX100UNEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW€4.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:123pF@10V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX5008NBKMYL 起订16个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX5008NBKMYL 起订16个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX5008NBKMYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€2.8W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:29pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCM6501UNEZ 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCM6501UNEZ 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMCM6501UNEZ

    工作温度:150℃

    功率:400mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1050pF@10V

    连续漏极电流:8.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV30UN2R 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV30UN2R 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV30UN2R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW€5W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:655pF@10V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFB4-7B 起订79个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFB4-7B 起订79个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2400UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:470mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@16V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G6N02L 起订43个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G6N02L 起订43个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G6N02L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:12.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1140pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.3mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2020UFCL-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2020UFCL-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2020UFCL-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:610mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:21.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1788pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV40UN2R 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV40UN2R 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV40UN2R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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