采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3502
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€41W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：815pF@40V
连续漏极电流：6A€14A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@6A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3502
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€41W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：815pF@40V
连续漏极电流：6A€14A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@6A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD458
工作温度：-50℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@7A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3502
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€41W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：815pF@40V
连续漏极电流：6A€14A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@6A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：5600，"21+"：439}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3502
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€41W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：815pF@40V
连续漏极电流：6A€14A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@6A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3502
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€41W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：815pF@40V
连续漏极电流：6A€14A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@6A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3502
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€41W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：815pF@40V
连续漏极电流：6A€14A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@6A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3502
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€41W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：815pF@40V
连续漏极电流：6A€14A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@6A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD458
工作温度：-50℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@7A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM5NC50CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：586pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@2.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3502
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€41W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：815pF@40V
连续漏极电流：6A€14A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@6A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD458
工作温度：-50℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@7A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM5NC50CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：586pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@2.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：5600，"21+"：439}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3502
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€41W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：815pF@40V
连续漏极电流：6A€14A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@6A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD458
工作温度：-50℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@7A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3502
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€41W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：815pF@40V
连续漏极电流：6A€14A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@6A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3502
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€41W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：815pF@40V
连续漏极电流：6A€14A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@6A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM5NC50CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：586pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@2.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3502
阈值电压：4.5V@250µA
功率：3.1W€41W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：75V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@6A，10V
输入电容：815pF@40V
栅极电荷：15nC@10V
连续漏极电流：6A€14A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM5NC50CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：586pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@2.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3502
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€41W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：815pF@40V
连续漏极电流：6A€14A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@6A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD2N100
工作温度：-50℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@1A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3502
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€41W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：815pF@40V
连续漏极电流：6A€14A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@6A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3502
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€41W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：815pF@40V
连续漏极电流：6A€14A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@6A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：5600，"21+"：439}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3502
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€41W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：815pF@40V
连续漏极电流：6A€14A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@6A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：5600，"21+"：439}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3502
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€41W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：815pF@40V
连续漏极电流：6A€14A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@6A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD458
工作温度：-50℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@7A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3502
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€41W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：815pF@40V
连续漏极电流：6A€14A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@6A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3502
阈值电压：4.5V@250µA
功率：3.1W€41W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：75V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@6A，10V
输入电容：815pF@40V
栅极电荷：15nC@10V
连续漏极电流：6A€14A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
