品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP150N10F7AG
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:127nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9000pF@50V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@55A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3662
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4620pF@50V
连续漏极电流:8.9A€49A
类型:N沟道
导通电阻:14.8mΩ@8.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB100N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4369pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP100N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:208W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7300pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP150N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8115pF@50V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@55A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB150N10
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4760pF@25V
连续漏极电流:57A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@49A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB120N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5605pF@25V
连续漏极电流:74A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@74A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP047N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:管件
输入电容:15265pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4100DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@50V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@4.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP25N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:920pF@50V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0200N100
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:133nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9760pF@50V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL8N10F7
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€50W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@50V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL8N10F7
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€50W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@50V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF680N10T
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM90N10-8M2P-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€300W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6290pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD25N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@50V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP315N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:315W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12800pF@25V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@60A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF100N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4369pF@50V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@22.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STH200N10WF7-2
工作温度:-55℃~175℃
功率:340W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4430pF@25V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP240N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:176nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12600pF@25V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@60A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT110N10L2
工作温度:-55℃~150℃
功率:600W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10500pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@55A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD100N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4369pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD80N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:85W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@50V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL7N10F7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W€50W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@50V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@3.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB120N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5605pF@25V
连续漏极电流:74A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@74A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM90N10-8M2P-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€300W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6290pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP45N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1640pF@50V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@22.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH130N10T
工作温度:-55℃~175℃
功率:360W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:104nC@10V
输入电容:5080pF@25V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4100DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@50V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@4.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ200N10T
工作温度:-55℃~175℃
功率:550W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9400pF@25V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: