销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3N60
工作温度:-50℃~150℃
功率:56.8W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@1.25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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功率:56.8W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@1.25A,10V
漏源电压:600V
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输入电容:370pF@25V
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类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@1.25A,10V
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阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
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输入电容:370pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@1.25A,10V
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分类:Mosfet场效应管
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类型:N沟道
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栅极电荷:12nC@10V
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功率:56.8W
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栅极电荷:12nC@10V
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类型:N沟道
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栅极电荷:12nC@10V
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行业应用:工业,汽车
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包装方式:卷带(TR)
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行业应用:工业,汽车
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包装方式:卷带(TR)
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类型:N沟道
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