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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHJ10N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：784pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHJ10N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：784pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：978}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8D8N15C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€132W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@75V
连续漏极电流：12.2A€85A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@45A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3935，"22+"：2927}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8D8N15C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€132W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@75V
连续漏极电流：12.2A€85A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@45A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHJ10N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：784pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：978}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8D8N15C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€132W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@75V
连续漏极电流：12.2A€85A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@45A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8D8N15C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€132W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@75V
连续漏极电流：12.2A€85A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@45A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8D8N15C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€132W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@75V
连续漏极电流：12.2A€85A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@45A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：978}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8D8N15C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€132W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@75V
连续漏极电流：12.2A€85A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@45A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF12N60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF12N60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHJ10N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：784pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3935，"22+"：2927}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8D8N15C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€132W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@75V
连续漏极电流：12.2A€85A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@45A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8D8N15C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€132W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@75V
连续漏极电流：12.2A€85A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@45A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8D8N15C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€132W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@75V
连续漏极电流：12.2A€85A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@45A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8D8N15C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€132W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@75V
连续漏极电流：12.2A€85A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@45A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8D8N15C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€132W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@75V
连续漏极电流：12.2A€85A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@45A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8D8N15C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€132W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@75V
连续漏极电流：12.2A€85A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@45A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHJ10N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：784pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHJ10N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：784pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8D8N15C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€132W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@75V
连续漏极电流：12.2A€85A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@45A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHJ10N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：784pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8D8N15C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€132W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@75V
连续漏极电流：12.2A€85A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@45A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8D8N15C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€132W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@75V
连续漏极电流：12.2A€85A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@45A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3935，"22+"：2927}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8D8N15C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€132W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@75V
连续漏极电流：12.2A€85A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@45A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3935，"22+"：2927}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8D8N15C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€132W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@75V
连续漏极电流：12.2A€85A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@45A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHJ10N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：784pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHJ10N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：784pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHJ10N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：784pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8D8N15C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€132W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@75V
连续漏极电流：12.2A€85A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@45A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
