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    类型: N沟道
    阈值电压: 4.5V@250µA
    漏源电压: 60V
    当前匹配商品:200+
    商品信息
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    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86500DC 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86500DC 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86500DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€125W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:107nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7680pF@30V

    连续漏极电流:29A€108A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@29A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP90N06-6M0P-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP90N06-6M0P-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUP90N06-6M0P-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€272W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4700pF@30V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86550 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86550 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86550

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€156W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:154nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11530pF@30V

    连续漏极电流:32A€155A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.65mΩ@32A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86550ET60 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86550ET60 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86550ET60

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W€187W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:154nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8235pF@30V

    连续漏极电流:32A€245A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.65mΩ@32A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT80060DC 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT80060DC 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMT80060DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:238nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20170pF@30V

    连续漏极电流:43A€292A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@43A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP80N6F6 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STP80N6F6 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP80N6F6

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7480pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDI030N06 起订59个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDI030N06 起订59个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":893}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDI030N06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:231W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:151nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9815pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@75A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP030N06 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP030N06 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP030N06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:231W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:151nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9815pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@75A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP025N06 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP025N06 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP025N06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:395W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:226nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:14885pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@75A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86500DC 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86500DC 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86500DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€125W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:107nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7680pF@30V

    连续漏极电流:29A€108A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@29A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP030N06 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP030N06 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP030N06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:231W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:151nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9815pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@75A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86550 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86550 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86550

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€156W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:154nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11530pF@30V

    连续漏极电流:32A€155A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.65mΩ@32A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86520DC 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86520DC 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86520DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€73W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2790pF@30V

    连续漏极电流:17A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD80N6F6 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STD80N6F6 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD80N6F6

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7480pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@40A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86520DC 起订239个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86520DC 起订239个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":12000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86520DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€73W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2790pF@30V

    连续漏极电流:17A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP80N6F6 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STP80N6F6 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP80N6F6

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7480pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86500DC 起订81个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86500DC 起订81个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86500DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€125W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:107nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7680pF@30V

    连续漏极电流:29A€108A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@29A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86500DC 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86500DC 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86500DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€125W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:107nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7680pF@30V

    连续漏极电流:29A€108A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@29A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDI030N06 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDI030N06 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":4000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDI030N06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:231W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:151nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9815pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@75A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT80060DC 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT80060DC 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMT80060DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:238nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20170pF@30V

    连续漏极电流:43A€292A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@43A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86520DC 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86520DC 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":12000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86520DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€73W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2790pF@30V

    连续漏极电流:17A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDI030N06 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDI030N06 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":4000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDI030N06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:231W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:151nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9815pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@75A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB029N06 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB029N06 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":6200,"22+":4352,"23+":1600,"MI+":3200}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB029N06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:231W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:151nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9815pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@75A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86550 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86550 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86550

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€156W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:154nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11530pF@30V

    连续漏极电流:32A€155A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.65mΩ@32A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86550 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86550 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":12000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86550

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€156W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:154nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11530pF@30V

    连续漏极电流:32A€155A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.65mΩ@32A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86520DC 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86520DC 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":12000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86520DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€73W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2790pF@30V

    连续漏极电流:17A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDMT80060DC 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT80060DC 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":3000,"23+":1600}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMT80060DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:238nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20170pF@30V

    连续漏极电流:43A€292A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@43A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86520DC 起订100个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86520DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€73W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2790pF@30V

    连续漏极电流:17A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDMT80060DC 起订100个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":3000,"23+":1600}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMT80060DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:238nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20170pF@30V

    连续漏极电流:43A€292A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@43A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86520DC 起订100个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86520DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€73W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2790pF@30V

    连续漏极电流:17A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

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