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    ST Mosfet场效应管 STP240N10F7 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STP240N10F7 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP240N10F7

    阈值电压:4.5V@250µA

    类型:N沟道

    连续漏极电流:180A

    导通电阻:3.2mΩ@60A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    包装方式:管件

    功率:300W

    输入电容:12600pF@25V

    栅极电荷:176nC@10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90N10-8M2P-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90N10-8M2P-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):SUM90N10-8M2P-E3

    阈值电压:4.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    功率:3.75W€300W

    类型:N沟道

    连续漏极电流:90A

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:150nC@10V

    漏源电压:100V

    输入电容:6290pF@50V

    导通电阻:8.2mΩ@20A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD25N10F7 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STD25N10F7 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD25N10F7

    阈值电压:4.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:35mΩ@12.5A,10V

    输入电容:920pF@50V

    功率:40W

    栅极电荷:14nC@10V

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:25A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP150N10F7 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STP150N10F7 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):STP150N10F7

    阈值电压:4.5V@250µA

    输入电容:8115pF@50V

    功率:250W

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@55A,10V

    栅极电荷:117nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:110A

    包装方式:管件

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP150N10F7 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STP150N10F7 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):STP150N10F7

    阈值电压:4.5V@250µA

    输入电容:8115pF@50V

    功率:250W

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@55A,10V

    栅极电荷:117nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:110A

    包装方式:管件

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STH315N10F7-2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STH315N10F7-2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STH315N10F7-2

    阈值电压:4.5V@250µA

    导通电阻:2.3mΩ@60A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12800pF@25V

    功率:315W

    类型:N沟道

    连续漏极电流:180A

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:180nC@10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP160N10T 起订100个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP160N10T 起订100个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):IXTP160N10T

    阈值电压:4.5V@250µA

    输入电容:6600pF@25V

    连续漏极电流:160A

    栅极电荷:132nC@10V

    类型:N沟道

    功率:430W

    工作温度:-55℃~175℃

    包装方式:管件

    导通电阻:7mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL40N10F7 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STL40N10F7 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL40N10F7

    阈值电压:4.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    功率:5W€70W

    输入电容:1270pF@50V

    类型:N沟道

    栅极电荷:19nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    漏源电压:100V

    连续漏极电流:40A

    导通电阻:24mΩ@10A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STH150N10F7-2 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STH150N10F7-2 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STH150N10F7-2

    阈值电压:4.5V@250µA

    输入电容:8115pF@50V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:250W

    类型:N沟道

    栅极电荷:117nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:110A

    导通电阻:3.9mΩ@55A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP100N10 起订191个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP100N10 起订191个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):FDP100N10

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    导通电阻:10mΩ@75A,10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:75A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:208W

    包装方式:管件

    漏源电压:100V

    输入电容:7300pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB120N10 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB120N10 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):FDB120N10

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:170W

    输入电容:5605pF@25V

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@74A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:74A

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90N10-8M2P-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90N10-8M2P-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):SUM90N10-8M2P-E3

    阈值电压:4.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    功率:3.75W€300W

    类型:N沟道

    连续漏极电流:90A

    工作温度:-55℃~175℃

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    漏源电压:100V

    输入电容:6290pF@50V

    导通电阻:8.2mΩ@20A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90N10-8M2P-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90N10-8M2P-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):SUM90N10-8M2P-E3

    阈值电压:4.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    功率:3.75W€300W

    类型:N沟道

    连续漏极电流:90A

    工作温度:-55℃~175℃

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    漏源电压:100V

    输入电容:6290pF@50V

    导通电阻:8.2mΩ@20A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB120N10 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB120N10 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):FDB120N10

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:170W

    输入电容:5605pF@25V

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@74A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:74A

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL30N10F7 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STL30N10F7 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL30N10F7

    阈值电压:4.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@50V

    栅极电荷:14nC@10V

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:35mΩ@4A,10V

    连续漏极电流:30A

    漏源电压:100V

    功率:75W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD100N10F7 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STD100N10F7 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:1725

    规格型号(MPN):STD100N10F7

    阈值电压:4.5V@250µA

    连续漏极电流:80A

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    功率:120W

    类型:N沟道

    栅极电荷:61nC@10V

    输入电容:4369pF@50V

    工作温度:-55℃~175℃

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP240N10F7 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STP240N10F7 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP240N10F7

    阈值电压:4.5V@250µA

    类型:N沟道

    连续漏极电流:180A

    导通电阻:3.2mΩ@60A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    包装方式:管件

    功率:300W

    输入电容:12600pF@25V

    栅极电荷:176nC@10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0200N100 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0200N100 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL0200N100

    阈值电压:4.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    功率:429W

    连续漏极电流:300A

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:9760pF@50V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:133nC@10V

    漏源电压:100V

    导通电阻:2mΩ@80A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD85N10F7AG 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STD85N10F7AG 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD85N10F7AG

    阈值电压:4.5V@250µA

    输入电容:3100pF@50V

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:45nC@10V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:10mΩ@40A,10V

    功率:85W

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STH240N10F7-6 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STH240N10F7-6 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STH240N10F7-6

    阈值电压:4.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    类型:N沟道

    输入电容:11550pF@25V

    连续漏极电流:180A

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:160nC@10V

    功率:300W

    漏源电压:100V

    导通电阻:2.5mΩ@60A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD85N10F7AG 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STD85N10F7AG 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD85N10F7AG

    阈值电压:4.5V@250µA

    输入电容:3100pF@50V

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:45nC@10V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:10mΩ@40A,10V

    功率:85W

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP100N10F7 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STP100N10F7 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):STP100N10F7

    阈值电压:4.5V@250µA

    连续漏极电流:80A

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    类型:N沟道

    栅极电荷:61nC@10V

    输入电容:4369pF@50V

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    包装方式:管件

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP150N10F7 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STP150N10F7 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):STP150N10F7

    阈值电压:4.5V@250µA

    输入电容:8115pF@50V

    功率:250W

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@55A,10V

    栅极电荷:117nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:110A

    包装方式:管件

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP150N10F7AG 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STP150N10F7AG 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP150N10F7AG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:127nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9000pF@50V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@55A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB100N10F7 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STB100N10F7 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB100N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4369pF@50V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP100N10 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP100N10 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP100N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:208W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7300pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP150N10F7 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STP150N10F7 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP150N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8115pF@50V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@55A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB120N10 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB120N10 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB120N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:170W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5605pF@25V

    连续漏极电流:74A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@74A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP047N10 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP047N10 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP047N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:210nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:15265pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP25N10F7 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STP25N10F7 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP25N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:920pF@50V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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