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    类型: N沟道
    阈值电压: 2.5V@250µA
    功率: 80W
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:70+
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    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD8896 起订5个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD8896 起订5个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):692psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8896

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:2525pF@15V

    连续漏极电流:17A€94A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD8896 起订833个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD8896 起订833个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"04+":10958,"05+":127926,"06+":234436,"08+":11,"10+":504,"11+":6007,"12+":8548,"13+":363,"15+":117,"MI+":462223}

    包装规格(MPQ):692psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8896

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:2525pF@15V

    连续漏极电流:17A€94A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STI55NF03L 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STI55NF03L 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STI55NF03L

    工作温度:-60℃~175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:27nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:1265pF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@27.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD35NF06LT4 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STD35NF06LT4 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD35NF06LT4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:33nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896-F085 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896-F085 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":1456,"22+":2471,"MI+":709}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8896-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2525pF@15V

    连续漏极电流:17A€94A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD35NF06LT4 起订2500个装
    ST Mosfet场效应管 STD35NF06LT4 起订2500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD35NF06LT4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:33nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STI55NF03L 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STI55NF03L 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STI55NF03L

    工作温度:-60℃~175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:27nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:1265pF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@27.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD35NF06LT4 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STD35NF06LT4 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD35NF06LT4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:33nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD35NF06LT4 起订250个装
    ST Mosfet场效应管 STD35NF06LT4 起订250个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD35NF06LT4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:33nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB8896 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB8896 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":1195}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB8896

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2525pF@15V

    连续漏极电流:19A€93A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD35NF06LT4 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STD35NF06LT4 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD35NF06LT4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:33nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD35NF06LT4 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STD35NF06LT4 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD35NF06LT4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:33nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896-F085 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896-F085 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8896-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2525pF@15V

    连续漏极电流:17A€94A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB8896 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB8896 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB8896

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2525pF@15V

    连续漏极电流:19A€93A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896-G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896-G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8896-G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2525pF@15V

    连续漏极电流:17A€94A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896-G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896-G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8896-G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2525pF@15V

    连续漏极电流:17A€94A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896-G 起订150个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896-G 起订150个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8896-G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2525pF@15V

    连续漏极电流:17A€94A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896-G 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896-G 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":2114}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8896-G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2525pF@15V

    连续漏极电流:17A€94A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896-G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896-G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":2114}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8896-G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2525pF@15V

    连续漏极电流:17A€94A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD35NF06LT4 起订2500个装
    ST Mosfet场效应管 STD35NF06LT4 起订2500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD35NF06LT4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:33nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896-F085 起订310个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896-F085 起订310个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":1456,"22+":2471,"MI+":709}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8896-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2525pF@15V

    连续漏极电流:17A€94A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDB8896 起订330个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDB8896 起订330个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):330psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB8896

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:2525pF@15V

    连续漏极电流:19A€93A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD8896 起订692个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD8896 起订692个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):692psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8896

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:2525pF@15V

    连续漏极电流:17A€94A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896-F085 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896-F085 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":1456,"22+":2471,"MI+":709}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8896-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2525pF@15V

    连续漏极电流:17A€94A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD8896 起订1000个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD8896 起订1000个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"04+":10958,"05+":127926,"06+":234436,"08+":11,"10+":504,"11+":6007,"12+":8548,"13+":363,"15+":117,"MI+":462223}

    包装规格(MPQ):692psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8896

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:2525pF@15V

    连续漏极电流:17A€94A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD35NF06LT4 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STD35NF06LT4 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD35NF06LT4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:33nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD35NF06LT4 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STD35NF06LT4 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD35NF06LT4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:33nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD35NF06LT4 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STD35NF06LT4 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD35NF06LT4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:33nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD35NF06LT4 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STD35NF06LT4 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD35NF06LT4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:33nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD8896 起订5000个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD8896 起订5000个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"04+":10958,"05+":127926,"06+":234436,"08+":11,"10+":504,"11+":6007,"12+":8548,"13+":363,"15+":117,"MI+":462223}

    包装规格(MPQ):692psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8896

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:2525pF@15V

    连续漏极电流:17A€94A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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