采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8874
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2990pF@15V
连续漏极电流：18A€116A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8874
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2990pF@15V
连续漏极电流：18A€116A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：41，"11+"：3510，"9999"：215}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8874
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2990pF@15V
连续漏极电流：18A€116A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD100N3LF3
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：41，"11+"：3510，"9999"：215}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8874
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2990pF@15V
连续漏极电流：18A€116A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8874
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2990pF@15V
连续漏极电流：18A€116A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8874
功率：110W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：5.1mΩ@35A，10V
连续漏极电流：18A€116A
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
栅极电荷：72nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：2990pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：41，"11+"：3510，"9999"：215}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8874
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2990pF@15V
连续漏极电流：18A€116A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD100N3LF3
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8874
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2990pF@15V
连续漏极电流：18A€116A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD100N3LF3
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP8874
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3130pF@15V
连续漏极电流：16A€114A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP8874
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3130pF@15V
连续漏极电流：16A€114A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
