销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19538Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€20.2W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:454pF@50V
连续漏极电流:14.4A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19538Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€23W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:454pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19538Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€23W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:454pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR124DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1666pF@40V
类型:N沟道
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM025NB04CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€136W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:118nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6670pF@20V
连续漏极电流:24A€157A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@24A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19538Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€23W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:4.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:454pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19538Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€20.2W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:454pF@50V
连续漏极电流:14.4A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP310N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:315W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12800pF@25V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@60A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS32DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1930pF@40V
类型:N沟道
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR124DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1666pF@40V
类型:N沟道
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT42S60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2154pF@100V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@21A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM300NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1009pF@30V
连续漏极电流:6A€27A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM033NB04CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€107W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4917pF@20V
连续漏极电流:21A€121A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@21A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STH310N10F7-6
工作温度:-55℃~175℃
功率:315W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12800pF@25V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@60A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM033NB04CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€107W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4917pF@20V
连续漏极电流:21A€121A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@21A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19538Q2T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€20.2W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:5.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:454pF@50V
连续漏极电流:13.1A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR122DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€65.7W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@40V
连续漏极电流:16.7A€59.6A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR122DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€65.7W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@40V
连续漏极电流:16.7A€59.6A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM033NB04CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€107W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4917pF@20V
连续漏极电流:21A€121A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@21A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF380A60CL
工作温度:-55℃~150℃
功率:27W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:955pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF15S60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:717pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@7.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM9ND50CI
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:24.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1116pF@50V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.3A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM9ND50CI
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:24.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1116pF@50V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.3A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19538Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€20.2W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:454pF@50V
连续漏极电流:14.4A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM050NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€136W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:114nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6904pF@30V
连续漏极电流:16A€104A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@16A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM033NB04CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€107W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4917pF@20V
连续漏极电流:21A€121A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@21A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOW15S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:15.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:717pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@7.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB42S60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2154pF@100V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:109mΩ@21A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB380A60CL
工作温度:-55℃~150℃
功率:131W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:955pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM033NB04CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€107W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4917pF@20V
连续漏极电流:21A€121A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@21A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: