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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH6400ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@6.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1400ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€48W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@50V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：13.6mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1400ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€48W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@50V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：13.6mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH7R506NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€45W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2320pF@30V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH7R506NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€45W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2320pF@30V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH12008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€48W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@40V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH12008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€48W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@40V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH5R906NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@30V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH6400ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@6.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH12008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€48W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@40V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH12008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€48W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@40V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH5R906NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@30V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1400ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€48W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@50V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：13.6mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH7R506NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€45W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2320pF@30V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH5R906NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@30V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH6400ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@6.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH6400ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@6.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH6400ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@6.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3300CNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@75V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1400ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€48W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@50V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：13.6mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH5R906NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@30V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1110FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：112mΩ@5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH6400ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@6.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH5R906NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@30V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1400ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€48W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@50V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：13.6mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1400ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€48W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@50V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：13.6mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3300CNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@75V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1110FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：112mΩ@5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH5R906NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@30V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3300CNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@75V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
