品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG11N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:804pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC042N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€57W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG11N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:804pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3009SFGQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2nF@15V
连续漏极电流:16A€45A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE065N10NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€100W
阈值电压:3.8V@48µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@50V
连续漏极电流:14A€85A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6510
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€46W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2160pF@15V
连续漏极电流:28A€32A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC042N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€57W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R099C7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4V@490µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1819pF@400V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@9.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3009SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.4W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3009SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@15V
连续漏极电流:16A€45A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE065N10NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€100W
阈值电压:3.8V@48µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@50V
连续漏极电流:14A€85A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS46DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2140pF@50V
连续漏极电流:12.5A€45.3A
类型:N沟道
导通电阻:12.8mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD11N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:804pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC042N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€57W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86200DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2955pF@75V
连续漏极电流:9.3A€28A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9.3A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R099C7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4V@490µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1819pF@400V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@9.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBC40APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1036pF@25V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFQ26N50P3
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2220pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@13A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R099C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:4V@490µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1819pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@9.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS46DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2140pF@50V
连续漏极电流:12.5A€45.3A
类型:N沟道
导通电阻:12.8mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86200DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2955pF@75V
连续漏极电流:9.3A€28A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9.3A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA90R800C3XKSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:3.5V@460µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@100V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@4.1A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R080G7XTMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:167W
阈值电压:4V@490µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1640pF@400V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@9.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC042N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€57W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBC40ASPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1036pF@25V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R104C7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:122W
阈值电压:4V@490µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1819pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@9.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4490DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.85A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@4A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE065N10NM5CGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€100W
阈值电压:3.8V@48µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@50V
连续漏极电流:14A€85A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB130N6F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:160W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDD60R080G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:174W
阈值电压:4V@490µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1640pF@400V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@9.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: