品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ014NE2LS5IFATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@12V
连续漏极电流:31A€40A
类型:N沟道
导通电阻:1.45mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8882
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@15V
连续漏极电流:12.6A€55A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT180N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:139W
阈值电压:4.5V@1.8mA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@400V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@8.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC061N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€74W
阈值电压:3.8V@41µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@40V
连续漏极电流:82A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@41A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86250
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€132W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2110pF@75V
连续漏极电流:8A€50A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@8A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0501NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€50W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@15V
连续漏极电流:25A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB23N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@100V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@8A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86250
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€132W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2110pF@75V
连续漏极电流:8A€50A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@8A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC110N06NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:4V@23µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@30V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86250
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€132W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2110pF@75V
连续漏极电流:8A€50A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@8A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4184A
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.3W€50W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@20V
连续漏极电流:13A€50A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7516
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€25W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1229pF@15V
连续漏极电流:20A€30A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ110N06NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€50W
阈值电压:4V@23µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@30V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ014NE2LS5IFATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@12V
连续漏极电流:31A€40A
类型:N沟道
导通电阻:1.45mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC060N10NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:3.3V@50µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@50V
连续漏极电流:15A€97A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86250
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€132W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2110pF@75V
连续漏极电流:8A€50A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@8A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH8R80ANH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€61W
阈值电压:4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@50V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD7N52DK3
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@50V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1.15Ω@3A,10V
漏源电压:525V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":833,"23+":1282,"MI+":8934}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD22N08S2L50ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2V@31µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2490}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8882
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@15V
连续漏极电流:12.6A€55A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":9700}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0501NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@15V
连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC0805NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€74W
阈值电压:2.3V@40µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@50V
连续漏极电流:13A€71A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":833,"23+":1282,"MI+":8934}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD22N08S2L50ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2V@31µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":9700}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0501NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@15V
连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":248}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8888
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1585pF@15V
连续漏极电流:13.5A€21A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@13.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC0805NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€74W
阈值电压:2.3V@40µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@50V
连续漏极电流:13A€71A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN028-100YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:89W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1634pF@50V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:27.5mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH8R80ANH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€61W
阈值电压:4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@50V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH8R80ANH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€61W
阈值电压:4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@50V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD22N08S2L50ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2V@31µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存: