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    类型: N沟道
    栅极电荷: 12nC@10V
    行业应用: 汽车
    工作温度: 150℃
    当前匹配商品:70+
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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7P50D(T6RSS-Q) 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7P50D(T6RSS-Q) 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK7P50D(T6RSS-Q)

    工作温度:150℃

    功率:100W

    阈值电压:4.4V@1mA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.22Ω@3.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STQ2LN60K3-AP 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STQ2LN60K3-AP 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STQ2LN60K3-AP

    工作温度:150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:235pF@50V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2P90E,RQ 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2P90E,RQ 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK2P90E,RQ

    工作温度:150℃

    功率:80W

    阈值电压:4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9Ω@1A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD2LN60K3 起订4个装
    ST Mosfet场效应管 STD2LN60K3 起订4个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD2LN60K3

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:235pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2P90E,RQ 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2P90E,RQ 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK2P90E,RQ

    工作温度:150℃

    功率:80W

    阈值电压:4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9Ω@1A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STQ2LN60K3-AP 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STQ2LN60K3-AP 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STQ2LN60K3-AP

    工作温度:150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:235pF@50V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2P90E,RQ 起订4000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2P90E,RQ 起订4000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK2P90E,RQ

    工作温度:150℃

    功率:80W

    阈值电压:4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9Ω@1A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2P90E,RQ 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2P90E,RQ 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK2P90E,RQ

    工作温度:150℃

    功率:80W

    阈值电压:4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9Ω@1A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STQ2LN60K3-AP 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STQ2LN60K3-AP 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STQ2LN60K3-AP

    工作温度:150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:235pF@50V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD2LN60K3 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STD2LN60K3 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD2LN60K3

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:235pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK3566(STA4,Q,M) 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK3566(STA4,Q,M) 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3566(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:470pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.4Ω@1.5A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN22006NH,LQ 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN22006NH,LQ 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN22006NH,LQ

    工作温度:150℃

    功率:700mW€18W

    阈值电压:4V@100µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:710pF@30V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E170GNTB 起订20个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E170GNTB 起订20个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1E170GNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€23W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@15V

    连续漏极电流:17A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.7mΩ@17A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E170GNTB 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E170GNTB 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1E170GNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€23W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@15V

    连续漏极电流:17A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.7mΩ@17A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E170GNTB 起订300个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E170GNTB 起订300个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1E170GNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€23W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@15V

    连续漏极电流:17A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.7mΩ@17A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD2LN60K3 起订5000个装
    ST Mosfet场效应管 STD2LN60K3 起订5000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD2LN60K3

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:235pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD2LN60K3 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STD2LN60K3 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD2LN60K3

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:235pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN22006NH,LQ 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN22006NH,LQ 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN22006NH,LQ

    工作温度:150℃

    功率:700mW€18W

    阈值电压:4V@100µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:710pF@30V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E170GNTB 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E170GNTB 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1E170GNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€23W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@15V

    连续漏极电流:17A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.7mΩ@17A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK3566(STA4,Q,M) 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK3566(STA4,Q,M) 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3566(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:470pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.4Ω@1.5A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN22006NH,LQ 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN22006NH,LQ 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN22006NH,LQ

    工作温度:150℃

    功率:700mW€18W

    阈值电压:4V@100µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:710pF@30V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E170GNTB 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E170GNTB 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1E170GNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€23W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@15V

    连续漏极电流:17A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.7mΩ@17A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD2LN60K3 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STD2LN60K3 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD2LN60K3

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:235pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2P90E,RQ 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2P90E,RQ 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK2P90E,RQ

    工作温度:150℃

    功率:80W

    阈值电压:4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9Ω@1A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4N60ECP ROG 起订2个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4N60ECP ROG 起订2个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4N60ECP ROG

    工作温度:150℃

    功率:86.2W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:545pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK6Q60W,S1VQ 起订150个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK6Q60W,S1VQ 起订150个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK6Q60W,S1VQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:3.7V@310µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:390pF@300V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:820mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E170GNTB 起订93个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E170GNTB 起订93个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1E170GNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€23W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@15V

    连续漏极电流:17A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.7mΩ@17A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7P50D(T6RSS-Q) 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7P50D(T6RSS-Q) 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK7P50D(T6RSS-Q)

    工作温度:150℃

    功率:100W

    阈值电压:4.4V@1mA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.22Ω@3.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7P50D(T6RSS-Q) 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7P50D(T6RSS-Q) 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK7P50D(T6RSS-Q)

    工作温度:150℃

    功率:100W

    阈值电压:4.4V@1mA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.22Ω@3.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7P50D(T6RSS-Q) 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7P50D(T6RSS-Q) 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK7P50D(T6RSS-Q)

    工作温度:150℃

    功率:100W

    阈值电压:4.4V@1mA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.22Ω@3.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

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