品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRF730PBF-BE3
输入电容:700pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@3A,10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
功率:74W
连续漏极电流:5.5A
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR610DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
功率:6.25W€125W
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:31.9mΩ@10A,10V
输入电容:1380pF@100V
漏源电压:200V
连续漏极电流:8.9A€39.6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF730SPBF
输入电容:700pF@25V
导通电阻:1Ω@3.3A,10V
功率:3.1W€74W
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:5.5A
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRF730PBF
输入电容:700pF@25V
导通电阻:1Ω@3.3A,10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
功率:74W
连续漏极电流:5.5A
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRFIBF20GPBF
漏源电压:900V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.2A
栅极电荷:38nC@10V
导通电阻:8Ω@720mA,10V
类型:N沟道
输入电容:490pF@25V
包装方式:管件
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIBE20GPBF
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:6.5Ω@840mA,10V
包装方式:管件
输入电容:530pF@25V
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:800V
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRFBF20SPBF
导通电阻:8Ω@1A,10V
漏源电压:900V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:38nC@10V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
输入电容:490pF@25V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
功率:3.1W€54W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRF730PBF
输入电容:700pF@25V
导通电阻:1Ω@3.3A,10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
功率:74W
连续漏极电流:5.5A
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRFBE20PBF
导通电阻:6.5Ω@1.1A,10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:1.8A
包装方式:管件
输入电容:530pF@25V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
功率:54W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):IRF840ASTRRPBF
漏源电压:500V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1018pF@25V
导通电阻:850mΩ@4.8A,10V
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
功率:125W
连续漏极电流:8A
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRFBF20SPBF
导通电阻:8Ω@1A,10V
漏源电压:900V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:38nC@10V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
输入电容:490pF@25V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
功率:3.1W€54W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):IRF840ASTRRPBF
漏源电压:500V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1018pF@25V
导通电阻:850mΩ@4.8A,10V
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
功率:125W
连续漏极电流:8A
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRFBG20PBF-BE3
输入电容:500pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:11Ω@840mA,10V
漏源电压:1000V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
功率:54W
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRFIBF20GPBF
漏源电压:900V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.2A
栅极电荷:38nC@10V
导通电阻:8Ω@720mA,10V
类型:N沟道
输入电容:490pF@25V
包装方式:管件
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRF730PBF
输入电容:700pF@25V
导通电阻:1Ω@3.3A,10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
功率:74W
连续漏极电流:5.5A
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR610DP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:31.9mΩ@10A,10V
输入电容:1380pF@100V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:35.4A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRF830PBF-BE3
漏源电压:500V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:1.5Ω@2.7A,10V
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
包装方式:管件
输入电容:610pF@25V
阈值电压:4V@250µA
功率:74W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRFBE20PBF
导通电阻:6.5Ω@1.1A,10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:1.8A
包装方式:管件
输入电容:530pF@25V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
功率:54W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):IRF840ASTRRPBF
漏源电压:500V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1018pF@25V
导通电阻:850mΩ@4.8A,10V
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
功率:125W
连续漏极电流:8A
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRF830SPBF
漏源电压:500V
功率:3.1W€74W
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:1.5Ω@2.7A,10V
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
包装方式:管件
输入电容:610pF@25V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI830GPBF
漏源电压:500V
功率:35W
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:3.1A
包装方式:管件
输入电容:610pF@25V
导通电阻:1.5Ω@1.9A,10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STP30NF20
输入电容:1597pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
功率:125W
包装方式:管件
导通电阻:75mΩ@15A,10V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:30A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR576DP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1870pF@75V
连续漏极电流:11.1A€42.4A
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€71.4W
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:150V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:16mΩ@10A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRF830PBF
漏源电压:500V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:610pF@25V
导通电阻:1.5Ω
阈值电压:4V@250µA
功率:74W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRFBF20PBF
导通电阻:8Ω@1A,10V
漏源电压:900V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:38nC@10V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
输入电容:490pF@25V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
功率:54W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRFIBF20GPBF
漏源电压:900V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.2A
栅极电荷:38nC@10V
导通电阻:8Ω@720mA,10V
类型:N沟道
输入电容:490pF@25V
包装方式:管件
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2572
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:38nC@10V
导通电阻:47mΩ@4.9A,10V
类型:N沟道
漏源电压:150V
连续漏极电流:4.9A
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
输入电容:2050pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIBE20GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:6.5Ω@840mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB30NF20
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1597pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@15A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF840ALPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1018pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.8A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: