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    类型: N沟道
    栅极电荷: 13nC@10V
    行业应用: 工业
    阈值电压: 4V@250µA
    当前匹配商品:100+
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    onsemi Mosfet场效应管 FDS86242 起订6个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86242 起订6个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS86242

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@75V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:67mΩ@4.1A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STN3NF06 起订4000个装
    ST Mosfet场效应管 STN3NF06 起订4000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STN3NF06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MSJU07N65A-TP 起订10个装
    MCC Mosfet场效应管 MSJU07N65A-TP 起订10个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MSJU07N65A-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:63W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:545pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7322ADN-T1-GE3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7322ADN-T1-GE3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7322ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:26W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:360pF@50V

    连续漏极电流:15.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STN3NF06 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STN3NF06 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STN3NF06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86242 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86242 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS86242

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@75V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:67mΩ@4.1A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7D25-40EX 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7D25-40EX 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7D25-40EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:15W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STN3NF06 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STN3NF06 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STN3NF06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7322ADN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7322ADN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7322ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:26W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:360pF@50V

    连续漏极电流:15.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86242 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86242 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS86242

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@75V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:67mΩ@4.1A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MSJU07N65A-TP 起订10个装
    MCC Mosfet场效应管 MSJU07N65A-TP 起订10个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MSJU07N65A-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:63W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:545pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86242 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86242 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS86242

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@75V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:67mΩ@4.1A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MSJU07N65A-TP 起订1000个装
    MCC Mosfet场效应管 MSJU07N65A-TP 起订1000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MSJU07N65A-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:63W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:545pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86242 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86242 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS86242

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@75V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:67mΩ@4.1A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STN3NF06 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STN3NF06 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STN3NF06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD15N50M2AG 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STD15N50M2AG 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD15N50M2AG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:85W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@100V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STN3NF06 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STN3NF06 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STN3NF06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86242 起订1250个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86242 起订1250个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS86242

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@75V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:67mΩ@4.1A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7D25-40EX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7D25-40EX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7D25-40EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:15W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP16NF06 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STP16NF06 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP16NF06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:315pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STN3NF06 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STN3NF06 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STN3NF06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86242 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86242 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS86242

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@75V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:67mΩ@4.1A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86242 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86242 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS86242

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@75V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:67mΩ@4.1A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86242 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86242 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS86242

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@75V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:67mΩ@4.1A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86242 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86242 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS86242

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@75V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:67mΩ@4.1A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86242 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86242 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS86242

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@75V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:67mΩ@4.1A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA110DJ-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA110DJ-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA110DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@50V

    连续漏极电流:5.4A€12A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA110DJ-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA110DJ-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA110DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@50V

    连续漏极电流:5.4A€12A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86242 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86242 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS86242

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@75V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:67mΩ@4.1A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7322ADN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7322ADN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7322ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:26W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:360pF@50V

    连续漏极电流:15.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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