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    栅极电荷
    行业应用
    类型: N沟道
    栅极电荷: 22nC@10V
    当前匹配商品:1200+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    AOS Mosfet场效应管 AOD2816 起订7个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD2816 起订7个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD2816

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€53.5W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1109pF@40V

    连续漏极电流:8.5A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ872EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ872EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ872EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1045pF@25V

    连续漏极电流:24.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:35.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS72DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS72DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS72DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.1W€65.8W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@75V

    连续漏极电流:7A€25.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E100BNTB 起订18个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E100BNTB 起订18个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E100BNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86102L 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86102L 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86102L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€41W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1330pF@50V

    连续漏极电流:7A€18A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA65R660CFDXKSA2 起订418个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA65R660CFDXKSA2 起订418个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":400}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA65R660CFDXKSA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.8W

    阈值电压:4.5V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:615pF@100V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:660mΩ@2.1A,10V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS72DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS72DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS72DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.1W€65.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@75V

    连续漏极电流:7A€25.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ096N10LS5ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ096N10LS5ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ096N10LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:2.3V@36µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@50V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTF3055-100T1G 起订99个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTF3055-100T1G 起订99个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTF3055-100T1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ872EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ872EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ872EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1045pF@25V

    连续漏极电流:24.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:35.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R385CPATMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R385CPATMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R385CPATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:3.5V@340µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:790pF@100V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:385mΩ@5.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC0602NLSATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC0602NLSATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC0602NLSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€60W

    阈值电压:2.3V@29µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@40V

    连续漏极电流:14A€66A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ096N10LS5ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ096N10LS5ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ096N10LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:2.3V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@50V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC80N04S6N036ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC80N04S6N036ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC80N04S6N036ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:3V@18µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1338pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.68mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 AO4480 起订3个装
    UMW Mosfet场效应管 AO4480 起订3个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4480

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1920pF@20V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R8006KND3TL1 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 R8006KND3TL1 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R8006KND3TL1

    工作温度:150℃

    功率:83W

    阈值电压:4.5V@4mA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@100V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@3A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS72DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS72DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS72DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.1W€65.8W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@75V

    连续漏极电流:7A€25.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7696 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7696 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC7696

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€25W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1430pF@15V

    连续漏极电流:12A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 AO4480 起订2个装
    UMW Mosfet场效应管 AO4480 起订2个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4480

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1920pF@20V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL8N10F7 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STL8N10F7 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL8N10F7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@50V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19534Q5AT 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19534Q5AT 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19534Q5AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€63W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@50V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL8N10F7 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STL8N10F7 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL8N10F7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@50V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ096N10LS5ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ096N10LS5ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ096N10LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:2.3V@36µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@50V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF730ASPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF730ASPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF730ASPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@3.3A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R385CPATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R385CPATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R385CPATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:3.5V@340µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:790pF@100V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:385mΩ@5.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R385CPXKSA1 起订348个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R385CPXKSA1 起订348个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":379,"22+":1000}

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP60R385CPXKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:3.5V@340µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:790pF@100V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:385mΩ@5.2A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF10N80K5 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STF10N80K5 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF10N80K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:635pF@100V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP10N95K5 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STP10N95K5 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP10N95K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:130W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:630pF@100V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@4A,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC0602NLSATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC0602NLSATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC0602NLSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€60W

    阈值电压:2.3V@29µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@40V

    连续漏极电流:14A€66A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R8006KND3TL1 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 R8006KND3TL1 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R8006KND3TL1

    工作温度:150℃

    功率:83W

    阈值电压:4.5V@4mA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@100V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@3A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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