采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR110TRPBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR110TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTY4N65X2
工作温度：-55℃~150℃
功率：80W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：455pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCD051N20TL
工作温度：150℃
功率：850mW€20W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：760mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF510PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：43W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@3.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF510PBF-BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：43W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@3.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS040N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€36W
阈值电压：3V@26µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@50V
连续漏极电流：6.5A€21A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU110PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@900mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN013-30YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：26W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：521pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：13.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS040N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€36W
阈值电压：3V@26µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@50V
连续漏极电流：6.5A€21A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF510SPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€43W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@3.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF510PBF-BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：43W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@3.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR110TRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF510STRRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€43W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@3.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN013-30YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：26W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：521pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：13.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL110TRPBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@900mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR110TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF510STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：43W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@3.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL110TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@900mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL110TRPBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@900mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF510PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：43W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@3.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3T050CNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：760mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI510GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN70R750P7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6.7W
阈值电压：3.5V@70µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：306pF@400V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@1.4A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF510STRRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€43W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@3.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL110TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@900mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS040N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€36W
阈值电压：3V@26µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@50V
连续漏极电流：6.5A€21A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
