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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA70EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：14.7A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA70EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：14.7A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJA70EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：14.7A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV213SN，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@20V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV213SN，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@20V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@500mA，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJA70EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：14.7A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV213SN，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@20V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@500mA，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJA70EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：14.7A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV213SN，215
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功率：280mW
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输入电容：330pF@20V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@500mA，10V
漏源电压：100V
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：14.7A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@4A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV213SN，215
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：SQJA70EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
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栅极电荷：7nC@10V
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输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：14.7A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
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功率：280mW
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@20V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@500mA，10V
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功率：27W
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栅极电荷：7nC@10V
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输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：14.7A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJA70EP-T1_GE3
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功率：27W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：14.7A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@4A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV213SN，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@20V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@500mA，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJA70EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：14.7A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJA70EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：14.7A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV213SN，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
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类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@500mA，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJA70EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：14.7A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV213SN，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
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输入电容：330pF@20V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA70EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
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连续漏极电流：14.7A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@4A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV213SN，215
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连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
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漏源电压：100V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV213SN，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
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输入电容：330pF@20V
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类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV213SN，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
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类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@500mA，10V
漏源电压：100V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1181，"22+"：65831，"23+"：114000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV213SN，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@20V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV213SN，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
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栅极电荷：7nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA70EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：14.7A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV213SN，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@20V
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类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV213SN，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@20V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
