采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N60F
工作温度：-55℃~150℃
功率：595W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：360nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14365pF@100V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@38A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N60F
工作温度：-55℃~150℃
功率：595W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：360nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14365pF@100V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@38A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N60F
工作温度：-55℃~150℃
功率：595W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：360nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14365pF@100V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@38A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N60F
工作温度：-55℃~150℃
功率：595W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：360nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14365pF@100V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@38A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N60F
工作温度：-55℃~150℃
功率：595W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：360nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14365pF@100V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@38A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N60F
工作温度：-55℃~150℃
功率：595W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：360nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14365pF@100V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@38A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N60F
工作温度：-55℃~150℃
功率：595W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：360nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14365pF@100V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@38A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N60F
工作温度：-55℃~150℃
功率：595W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：360nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14365pF@100V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@38A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N60F
工作温度：-55℃~150℃
功率：595W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：360nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14365pF@100V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@38A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100L60W，VQ
工作温度：150℃
功率：797W
阈值电压：3.7V@5mA
栅极电荷：360nC@10V
包装方式：管件
输入电容：15000pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@50A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFN32N120P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1000W
阈值电压：6.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：360nC@10V
包装方式：管件
输入电容：21000pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：310mΩ@500mA，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFL32N120P
工作温度：-55℃~150℃
功率：520W
阈值电压：6.5V@1mA
栅极电荷：360nC@10V
包装方式：管件
输入电容：21000pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@16A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N60F
工作温度：-55℃~150℃
功率：595W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：360nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14365pF@100V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@38A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFN32N120P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1000W
阈值电压：6.5V@1mA
栅极电荷：360nC@10V
包装方式：管件
输入电容：21000pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：310mΩ@500mA，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFL32N120P
工作温度：-55℃~150℃
功率：520W
阈值电压：6.5V@1mA
栅极电荷：360nC@10V
包装方式：管件
输入电容：21000pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@16A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N60F
工作温度：-55℃~150℃
功率：595W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：360nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14365pF@100V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@38A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFL32N120P
工作温度：-55℃~150℃
功率：520W
阈值电压：6.5V@1mA
栅极电荷：360nC@10V
包装方式：管件
输入电容：21000pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@16A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
