销售单位:个
规格型号(MPN):STD5N20LT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@50µA
栅极电荷:6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:242pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@2.5A,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5N20LT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@50µA
栅极电荷:6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:242pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@2.5A,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):STD5N20LT4
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功率:33W
阈值电压:2.5V@50µA
栅极电荷:6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:242pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@2.5A,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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功率:33W
阈值电压:2.5V@50µA
栅极电荷:6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:242pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@2.5A,5V
漏源电压:200V
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功率:33W
阈值电压:2.5V@50µA
栅极电荷:6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:242pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@2.5A,5V
漏源电压:200V
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品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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分类:Mosfet场效应管
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功率:33W
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类型:N沟道
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功率:33W
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类型:N沟道
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栅极电荷:6nC@5V
导通电阻:700mΩ@2.5A,5V
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类型:N沟道
栅极电荷:6nC@5V
导通电阻:700mΩ@2.5A,5V
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