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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA446CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：13.6W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：910pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：17.5mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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ECCN：EAR99
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输入电容：910pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：17.5mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQA446CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：13.6W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：910pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：17.5mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA446CEJW-T1_GE3
功率：13.6W
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：1.3V@250µA
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类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：910pF@10V
连续漏极电流：9A
漏源电压：20V
栅极电荷：10nC@4.5V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4346DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.31W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA446CEJW-T1_GE3
功率：13.6W
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：1.3V@250µA
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类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：910pF@10V
连续漏极电流：9A
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栅极电荷：10nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQA446CEJW-T1_GE3
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功率：13.6W
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栅极电荷：10nC@4.5V
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连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：17.5mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA446CEJW-T1_GE3
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功率：13.6W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
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输入电容：910pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：17.5mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA446CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：13.6W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：910pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：17.5mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4346DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.31W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4346DY-T1-GE3
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功率：1.31W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4346DY-T1-GE3
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栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
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