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品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG311N
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.5nC@4.5V
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8440ASTT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.69W
阈值电压：1.9V@100µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@35V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.6A，10V
漏源电压：59V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8440ASTT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.69W
阈值电压：1.9V@100µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@35V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.6A，10V
漏源电压：59V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8440ASTT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.69W
阈值电压：1.9V@100µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@35V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.6A，10V
漏源电压：59V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8440ASTT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.69W
阈值电压：1.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@35V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.6A，10V
漏源电压：59V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8440ASTT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.69W
阈值电压：1.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@35V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.6A，10V
漏源电压：59V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8440ASTT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.69W
阈值电压：1.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@35V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.6A，10V
漏源电压：59V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8440ASTT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.69W
阈值电压：1.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@35V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.6A，10V
漏源电压：59V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8440ASTT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.69W
阈值电压：1.9V@100µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@35V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.6A，10V
漏源电压：59V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1032UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@6V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8440ASTT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.69W
阈值电压：1.9V@100µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@35V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.6A，10V
漏源电压：59V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：275，"04+"：61572，"12+"：361}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG311N
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.5nC@4.5V
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8440ASTT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.69W
阈值电压：1.9V@100µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@35V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.6A，10V
漏源电压：59V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8440ASTT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.69W
阈值电压：1.9V@100µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@35V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.6A，10V
漏源电压：59V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8440ASTT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.69W
阈值电压：1.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@35V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.6A，10V
漏源电压：59V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1032UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@6V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：275，"04+"：61572，"12+"：361}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG311N
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.5nC@4.5V
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8440ASTT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.69W
阈值电压：1.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@35V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.6A，10V
漏源电压：59V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8440ASTT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.69W
阈值电压：1.9V@100µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@35V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.6A，10V
漏源电压：59V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1032UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@6V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8440ASTT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.69W
阈值电压：1.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@35V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.6A，10V
漏源电压：59V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"03+"：275，"04+"：61572，"12+"：361}
规格型号(MPN)：FDG311N
连续漏极电流：1.9A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@1.9A，4.5V
栅极电荷：4.5nC@4.5V
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
功率：750mW
ECCN：EAR99
输入电容：270pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8440ASTT1G
输入电容：155pF@35V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：59V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
栅极电荷：4.5nC@4.5V
导通电阻：110mΩ@2.6A，10V
功率：1.69W
阈值电压：1.9V@100µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8440ASTT1G
输入电容：155pF@35V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：59V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
栅极电荷：4.5nC@4.5V
导通电阻：110mΩ@2.6A，10V
功率：1.69W
阈值电压：1.9V@100µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8440ASTT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.69W
阈值电压：1.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@35V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.6A，10V
漏源电压：59V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8440ASTT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.69W
阈值电压：1.9V@100µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@35V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.6A，10V
漏源电压：59V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8440ASTT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.69W
阈值电压：1.9V@100µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@35V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.6A，10V
漏源电压：59V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8440ASTT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.69W
阈值电压：1.9V@100µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@35V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.6A，10V
漏源电压：59V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8440ASTT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.69W
阈值电压：1.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@35V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.6A，10V
漏源电压：59V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1032UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@6V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
