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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG14N50D-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG14N50D-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG14N50D-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1144pF@100V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@7A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF9N90CT 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF9N90CT 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF9N90CT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:68W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2730pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@4A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18532Q5B 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18532Q5B 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18532Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5070pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC037N12NM6ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC037N12NM6ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC037N12NM6ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€214W

    阈值电压:3.6V@111µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@60V

    连续漏极电流:19.2A€163A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG14N50D-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG14N50D-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG14N50D-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1144pF@100V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@7A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVB110N65S3F 起订107个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVB110N65S3F 起订107个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":30025}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVB110N65S3F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:240W

    阈值电压:5V@3mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2560pF@400V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@15A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP12CN10LGXKSA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP12CN10LGXKSA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP12CN10LGXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:2.4V@83µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5600pF@50V

    连续漏极电流:69A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@69A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA12N60E-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA12N60E-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA12N60E-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:937pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF9N90CT 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF9N90CT 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF9N90CT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:68W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2730pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@4A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N60E-BE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N60E-BE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP12N60E-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:147W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:937pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT095N65S3H 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT095N65S3H 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMT095N65S3H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:4V@2.8mA

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2833pF@400V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@15A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT095N65S3H 起订84个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT095N65S3H 起订84个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":798}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMT095N65S3H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:4V@2.8mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2833pF@400V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@15A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD30NF06T4 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STD30NF06T4 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD30NF06T4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:70W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1750pF@25V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD210 起订5个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD210 起订5个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD210

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.7W€150W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@15V

    连续漏极电流:23A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDF08N60ZH 起订697个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDF08N60ZH 起订697个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":8300,"13+":572,"9999":67}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDF08N60ZH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:36W

    阈值电压:4.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1370pF@25V

    连续漏极电流:8.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86101A 起订222个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86101A 起订222个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":8807}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86101A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4120pF@50V

    连续漏极电流:13A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL110N65S3F 起订250个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL110N65S3F 起订250个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHL110N65S3F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:240W

    阈值电压:5V@3mA

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2560pF@400V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@15A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR882DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1930pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDF08N60ZH 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDF08N60ZH 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":8300,"13+":572,"9999":67}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDF08N60ZH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:36W

    阈值电压:4.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1370pF@25V

    连续漏极电流:8.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS6D0N15MC 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS6D0N15MC 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":15000,"22+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMTS6D0N15MC

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W€237W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4815pF@75V

    连续漏极电流:18A€128A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.4mΩ@69A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18532Q5BT 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18532Q5BT 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18532Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5070pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP45NF06 起订66个装
    ST Mosfet场效应管 STP45NF06 起订66个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP45NF06

    工作温度:175℃

    功率:80W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:980pF@25V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@19A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18532Q5B 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18532Q5B 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18532Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5070pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R5-25MLHX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R5-25MLHX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN1R5-25MLHX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:106W

    阈值电压:2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3167pF@12V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.81mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC037N12NM6ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC037N12NM6ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC037N12NM6ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€214W

    阈值电压:3.6V@111µA

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@60V

    连续漏极电流:19.2A€163A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18532Q5B 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18532Q5B 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18532Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5070pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR882DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1930pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL110N65S3F 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL110N65S3F 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHL110N65S3F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:240W

    阈值电压:5V@3mA

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2560pF@400V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@15A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC037N08NS5ATMA1 起订315个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC037N08NS5ATMA1 起订315个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":5002,"23+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC037N08NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€114W

    阈值电压:3.8V@72µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4200pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL110N65S3F 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL110N65S3F 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHL110N65S3F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:240W

    阈值电压:5V@3mA

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2560pF@400V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@15A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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