品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H824NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@40V
连续漏极电流:20A€110A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N06S214ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@80µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1485pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14.4mΩ@32A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C628NLT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€110W
阈值电压:2V@135µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:28A€150A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC074N15NS5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4.6V@136µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@75V
连续漏极电流:114A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H824NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@40V
连续漏极电流:20A€110A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ40N04S5L2R8ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N05-11L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2106pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@45A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N06S214ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1485pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14.4mΩ@32A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ40N04S5L2R8ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2V@30µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N06S214ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1485pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14.4mΩ@32A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC074N15NS5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4.6V@136µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@75V
连续漏极电流:114A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C628NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€110W
阈值电压:2V@135µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:28A€150A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40052EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N06S214ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@80µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1485pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14.4mΩ@32A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ40N04S5L2R8ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ40N04S5L2R8ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C628NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€110W
阈值电压:2V@135µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:28A€150A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C628NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€110W
阈值电压:2V@135µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:28A€150A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C628NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€110W
阈值电压:2V@135µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:28A€150A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ40N04S5L2R8ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C628NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€110W
阈值电压:2V@135µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:28A€150A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC074N15NS5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4.6V@136µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@75V
连续漏极电流:114A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ40N04S5L2R8ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40052EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86569-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2520pF@30V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C628NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€110W
阈值电压:2V@135µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:28A€150A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C628NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€110W
阈值电压:2V@135µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:28A€150A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40052EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N06S214ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1485pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14.4mΩ@32A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C628NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€110W
阈值电压:2V@135µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:28A€150A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: