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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1L145GNTB
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.7V@200µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1880pF@30V
连续漏极电流：14.5A€47A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@14.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK46E08N1，S1X
工作温度：150℃
功率：103W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@23A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS1L145GNTB
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功率：3W
阈值电压：2.7V@200µA
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输入电容：1880pF@30V
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类型：N沟道
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包装方式：管件
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类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS1L145GNTB
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功率：3W
阈值电压：2.7V@200µA
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连续漏极电流：14.5A€47A
类型：N沟道
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类型：N沟道
漏源电压：60V
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功率：3W
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导通电阻：9.7mΩ@14.5A，10V
栅极电荷：37nC@10V
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栅极电荷：37nC@10V
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工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.7V@200µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1880pF@30V
连续漏极电流：14.5A€47A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@14.5A，10V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
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栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@23A，10V
漏源电压：80V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK46E08N1，S1X
工作温度：150℃
功率：103W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@23A，10V
漏源电压：80V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
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规格型号(MPN)：TK46E08N1，S1X
工作温度：150℃
功率：103W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
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连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@23A，10V
漏源电压：80V
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行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK46E08N1，S1X
工作温度：150℃
功率：103W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@23A，10V
漏源电压：80V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1L145GNTB
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.7V@200µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1880pF@30V
连续漏极电流：14.5A€47A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@14.5A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：RS1L145GNTB
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阈值电压：2.7V@200µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1880pF@30V
连续漏极电流：14.5A€47A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@14.5A，10V
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行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK46E08N1，S1X
工作温度：150℃
功率：103W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@23A，10V
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