采购热线 400-661-9010
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTT2N300P3HV
工作温度：-55℃~155℃
功率：520W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1890pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：21Ω@1A，10V
漏源电压：3000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO040N03MSGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0802NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：2.3V@92µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5190pF@50V
连续漏极电流：22A€150A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R190E6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：3.5V@730µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1620pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS08N003C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€125W
阈值电压：4V@310µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5350pF@40V
连续漏极电流：22A€147A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@56A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO040N03MSGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO040N03MSGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS08N003C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€125W
阈值电压：4V@310µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5350pF@40V
连续漏极电流：22A€147A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@56A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP60NF06
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1660pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：370，"14+"：197，"9999"：169}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R190E6FKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：151W
阈值电压：3.5V@730µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1620pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：18594}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3821-E
工作温度：150℃
功率：1.65W€65W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：散装
输入电容：4200pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC030N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@15V
连续漏极电流：21A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB38N30U
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3340pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@19A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：18594}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3821-E
工作温度：150℃
功率：1.65W€65W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：散装
输入电容：4200pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0802NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：2.3V@92µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5190pF@50V
连续漏极电流：22A€150A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO040N03MSGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO040N03MSGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：18594}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3821-E
工作温度：150℃
功率：1.65W€65W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：散装
输入电容：4200pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP60NF06
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1660pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC100N08Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：51W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5469pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO040N03MSGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC100N08Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：51W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5469pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R190E6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：3.5V@730µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1620pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO040N03MSGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO040N03MSGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：18594}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3821-E
工作温度：150℃
功率：1.65W€65W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：散装
输入电容：4200pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R190E6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：3.5V@730µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1620pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO040N03MSGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS08N003C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€125W
阈值电压：4V@310µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5350pF@40V
连续漏极电流：22A€147A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@56A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS08N003C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€125W
阈值电压：4V@310µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5350pF@40V
连续漏极电流：22A€147A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@56A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
