品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK90S06N1L,LQ
工作温度:175℃
功率:157W
阈值电压:2.5V@500µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@10V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK90S06N1L,LQ
工作温度:175℃
功率:157W
阈值电压:2.5V@500µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@10V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18535KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6620pF@30V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18535KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6620pF@30V
连续漏极电流:200A€279A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":3000,"20+":10339}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI80N06S405AKSA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6500pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N06S405ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@60µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6500pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@90A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18535KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6620pF@30V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N06S405ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6500pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT025N06AD5
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5044pF@30V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18535KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6620pF@30V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT025N06AD5
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5044pF@30V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18535KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6620pF@30V
连续漏极电流:200A€279A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18535KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6620pF@30V
连续漏极电流:200A€279A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18535KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6620pF@30V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18535KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6620pF@30V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18535KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6620pF@30V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N06S405ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6500pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18535KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6620pF@30V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK90S06N1L,LQ
工作温度:175℃
功率:157W
阈值电压:2.5V@500µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@10V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1860}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N06S405ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6500pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@90A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK90S06N1L,LQ
工作温度:175℃
功率:157W
阈值电压:2.5V@500µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@10V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18535KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6620pF@30V
连续漏极电流:200A€279A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":14500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP80N06S405AKSA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6500pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18535KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6620pF@30V
连续漏极电流:200A€279A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT025N06AD5
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5044pF@30V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT025N06AD5
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5044pF@30V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N06S405ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6500pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N06S405ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6500pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK90S06N1L,LQ
工作温度:175℃
功率:157W
阈值电压:2.5V@500µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@10V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT025N06AD5
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5044pF@30V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: