品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFN32N100P
工作温度:-55℃~150℃
功率:690W
阈值电压:6.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:225nC@10V
包装方式:管件
输入电容:14200pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@16A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFK32N100P
工作温度:-55℃~150℃
功率:960W
阈值电压:6.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:225nC@10V
包装方式:管件
输入电容:14200pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@16A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFX32N100P
工作温度:-55℃~150℃
功率:960W
阈值电压:6.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:225nC@10V
包装方式:管件
输入电容:14200pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@16A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFN32N100P
工作温度:-55℃~150℃
功率:690W
阈值电压:6.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:225nC@10V
包装方式:管件
输入电容:14200pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@16A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFX32N100P
工作温度:-55℃~150℃
功率:960W
阈值电压:6.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:225nC@10V
包装方式:管件
输入电容:14200pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@16A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFK32N100P
工作温度:-55℃~150℃
功率:960W
阈值电压:6.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:225nC@10V
包装方式:管件
输入电容:14200pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@16A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFN32N100P
工作温度:-55℃~150℃
功率:690W
阈值电压:6.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:225nC@10V
包装方式:管件
输入电容:14200pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@16A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFK32N100P
工作温度:-55℃~150℃
功率:960W
阈值电压:6.5V@1mA
栅极电荷:225nC@10V
包装方式:管件
输入电容:14200pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@16A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFN32N100P
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:1000V
阈值电压:6.5V@1mA
导通电阻:320mΩ@16A,10V
包装方式:管件
功率:690W
输入电容:14200pF@25V
连续漏极电流:27A
ECCN:EAR99
栅极电荷:225nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT1001RBVRG
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:225nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3660pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@500mA,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFK32N100P
工作温度:-55℃~150℃
功率:960W
阈值电压:6.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:225nC@10V
包装方式:管件
输入电容:14200pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@16A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT1001RBVRG
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:225nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3660pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@500mA,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFK32N100P
工作温度:-55℃~150℃
功率:960W
阈值电压:6.5V@1mA
栅极电荷:225nC@10V
包装方式:管件
输入电容:14200pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@16A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):25psc
规格型号(MPN):IXFK32N100P
连续漏极电流:32A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:1000V
阈值电压:6.5V@1mA
功率:960W
导通电阻:320mΩ@16A,10V
包装方式:管件
输入电容:14200pF@25V
栅极电荷:225nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: