采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH45N50F-F133
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：137nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6630pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@22.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：990，"23+"：853}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB160N04S4H1ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@110µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：137nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10920pF@25V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB160N04S4H1ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@110µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：137nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10920pF@25V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB160N04S4H1ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
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栅极电荷：137nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH45N50F-F133
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：137nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6630pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@22.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：610}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R0-60ES，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：338W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：137nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9997pF@30V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R0-40SSHJ
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：137nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10322pF@25V
连续漏极电流：325A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7S1R0-40HJ
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：137nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10322pF@25V
连续漏极电流：325A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R7-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：137nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9997pF@30V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7S1R0-40HJ
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：137nC@10V
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输入电容：10322pF@25V
连续漏极电流：325A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH45N50F-F133
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：137nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6630pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@22.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7S1R0-40HJ
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：10322pF@25V
连续漏极电流：325A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：610}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R0-60ES，127
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功率：338W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：137nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9997pF@30V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@25A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB160N04S4H1ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@110µA
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栅极电荷：137nC@10V
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连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@100A，10V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH45N50F-F133
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功率：625W
阈值电压：5V@250µA
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连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@22.5A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH45N50F-F133
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：137nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6630pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@22.5A，10V
漏源电压：500V
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库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R0-40SSHJ
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
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连续漏极电流：325A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R0-40SSHJ
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
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输入电容：10322pF@25V
连续漏极电流：325A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7S1R0-40HJ
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：137nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10322pF@25V
连续漏极电流：325A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R7-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：137nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9997pF@30V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R0-40SSHJ
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：137nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10322pF@25V
连续漏极电流：325A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH45N50F-F133
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：137nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6630pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@22.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH45N50F-F133
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：137nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6630pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@22.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB160N04S4H1ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@110µA
栅极电荷：137nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10920pF@25V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7S1R0-40HJ
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：137nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10322pF@25V
连续漏极电流：325A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB160N04S4H1ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：137nC@10V
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连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R0-40SSHJ
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：137nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10322pF@25V
连续漏极电流：325A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：990，"23+"：853}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB160N04S4H1ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@110µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：137nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10920pF@25V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7S1R0-40HJ
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：137nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10322pF@25V
连续漏极电流：325A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R0-40SSHJ
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：137nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10322pF@25V
连续漏极电流：325A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
