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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ454EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ454EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ454EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@25V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:145mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC027N04LSGATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC027N04LSGATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC027N04LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:2V@49µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6800pF@20V

    连续漏极电流:24A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPF042N10NF2SATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPF042N10NF2SATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPF042N10NF2SATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€167W

    阈值电压:3.8V@93µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@50V

    连续漏极电流:21A€139A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.25mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6_GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6_GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N04-5M6_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPA11N80C3XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPA11N80C3XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPA11N80C3XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34W

    阈值电压:3.9V@680µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1600pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@7.1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPA11N80C3XKSA2 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPA11N80C3XKSA2 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPA11N80C3XKSA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34W

    阈值电压:3.9V@680µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1600pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@7.1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPF042N10NF2SATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPF042N10NF2SATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPF042N10NF2SATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€167W

    阈值电压:3.8V@93µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@50V

    连续漏极电流:21A€139A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.25mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPA11N80C3XKSA2 起订50个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPA11N80C3XKSA2 起订50个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPA11N80C3XKSA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34W

    阈值电压:3.9V@680µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1600pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@7.1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPA11N80C3XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPA11N80C3XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPA11N80C3XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34W

    阈值电压:3.9V@680µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1600pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@7.1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC027N04LSGATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC027N04LSGATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC027N04LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:2V@49µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6800pF@20V

    连续漏极电流:24A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPWR7904PB,L1XHQ 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPWR7904PB,L1XHQ 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPWR7904PB,L1XHQ

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6650pF@10V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.79mΩ@75A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA62EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA62EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA62EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5100pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6030ENZ4C13 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6030ENZ4C13 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6030ENZ4C13

    工作温度:150℃

    功率:305W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6_T4GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6_T4GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N04-5M6_T4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPWR7904PB,L1XHQ 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPWR7904PB,L1XHQ 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPWR7904PB,L1XHQ

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6650pF@10V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.79mΩ@75A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC027N04LSGATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC027N04LSGATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC027N04LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:2V@49µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6800pF@20V

    连续漏极电流:24A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ454EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ454EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ454EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@25V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:145mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFQ50N50P3 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFQ50N50P3 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFQ50N50P3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960W

    阈值电压:5V@4mA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4335pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@25A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP160N75F3 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STP160N75F3 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP160N75F3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:330W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6750pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@60A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD70N10F4 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STD70N10F4 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD70N10F4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5800pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:19.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC014N04LSTATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC014N04LSTATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC014N04LSTATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€115W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6020pF@20V

    连续漏极电流:33A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H800NT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H800NT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS6H800NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€200W

    阈值电压:4V@330µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5530pF@40V

    连续漏极电流:28A€203A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPA11N80C3XKSA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPA11N80C3XKSA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPA11N80C3XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34W

    阈值电压:3.9V@680µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1600pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@7.1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H800NWFT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H800NWFT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS6H800NWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€200W

    阈值电压:4V@330µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5530pF@40V

    连续漏极电流:28A€203A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPA11N80C3XKSA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPA11N80C3XKSA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPA11N80C3XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34W

    阈值电压:3.9V@680µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1600pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@7.1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC027N04LSGATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC027N04LSGATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC027N04LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:2V@49µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6800pF@20V

    连续漏极电流:24A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC027N04LSGATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC027N04LSGATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC027N04LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:2V@49µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6800pF@20V

    连续漏极电流:24A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ454EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ454EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ454EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@25V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:145mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA62EP-T1_GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA62EP-T1_GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA62EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5100pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC027N04LSGATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC027N04LSGATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC027N04LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:2V@49µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6800pF@20V

    连续漏极电流:24A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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