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    onsemi Mosfet场效应管 FDMC007N08LC 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC007N08LC 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC007N08LC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2.5V@120µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2940pF@40V

    连续漏极电流:66A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@21A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86320 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86320 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86320

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2640pF@40V

    连续漏极电流:10.5A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.7mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R5-30YL,115 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R5-30YL,115 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R5-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2458pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR622DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR622DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR622DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1516pF@75V

    连续漏极电流:64.6A€56.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7852DP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7852DP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7852DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:7.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4896DY-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4896DY-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4896DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3572 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3572 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS3572

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1990pF@25V

    连续漏极电流:8.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@8.9A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7214-75B,118 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7214-75B,118 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7214-75B,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:158W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2612pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@25A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF634PBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF634PBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF634PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:770pF@25V

    连续漏极电流:8.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@5.1A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7451TRPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7451TRPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7451TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:5.5V@250µA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:990pF@25V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPP06N80C3XKSA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPP06N80C3XKSA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPP06N80C3XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:3.9V@250µA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:785pF@100V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IQE013N04LM6CGSCATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IQE013N04LM6CGSCATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IQE013N04LM6CGSCATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€107W

    阈值电压:2V@51µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3800pF@20V

    连续漏极电流:31A€205A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.35mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86140 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86140 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS86140

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2580pF@50V

    连续漏极电流:11.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.8mΩ@11.2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW65R115CFD7AXKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW65R115CFD7AXKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW65R115CFD7AXKSA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:114W

    阈值电压:4.5V@490µA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1950pF@400V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:115mΩ@9.7A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8672S 起订370个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8672S 起订370个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8672S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2670pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA74DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA74DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA74DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.1W€46.2W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@20V

    连续漏极电流:24A€81.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPBE65R115CFD7AATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPBE65R115CFD7AATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPBE65R115CFD7AATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:114W

    阈值电压:4.5V@490µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1950pF@400V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:115mΩ@9.7A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7451TRPBF 起订670个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7451TRPBF 起订670个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7451TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:5.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:990pF@25V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH8318TRPBF 起订6个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH8318TRPBF 起订6个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFH8318TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€59W

    阈值电压:2.35V@50µA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3180pF@10V

    连续漏极电流:27A€120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S53R1ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S53R1ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPZ40N04S53R1ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:3.4V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2310pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IQE013N04LM6CGSCATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IQE013N04LM6CGSCATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IQE013N04LM6CGSCATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€107W

    阈值电压:2V@51µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3800pF@20V

    连续漏极电流:31A€205A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.35mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP65R110CFD7XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP65R110CFD7XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP65R110CFD7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:114W

    阈值电压:4.5V@480µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1942pF@400V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@9.7A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH410DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH410DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH410DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.8W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@10V

    连续漏极电流:22A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7451TRPBF 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7451TRPBF 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7451TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:5.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:990pF@25V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPA06N80C3XKSA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPA06N80C3XKSA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPA06N80C3XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:3.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:785pF@100V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL65R115CFD7AUMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL65R115CFD7AUMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPL65R115CFD7AUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:144W

    阈值电压:4.5V@480µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1942pF@400V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:115mΩ@9.7A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R110CFD7ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R110CFD7ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB65R110CFD7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:114W

    阈值电压:4.5V@480µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1942pF@400V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@9.7A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86320 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86320 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86320

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2640pF@40V

    连续漏极电流:10.5A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.7mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC034N06NSATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC034N06NSATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC034N06NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€74W

    阈值电压:3.3V@41µA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN020-100YS,115 起订6个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN020-100YS,115 起订6个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN020-100YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:106W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2210pF@50V

    连续漏极电流:43A

    类型:N沟道

    导通电阻:20.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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