采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB6413ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@42A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R075CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：188W
阈值电压：4.5V@570µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2103pF@400V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@11.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT14N50
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2297pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT299N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1948pF@380V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R090CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.5V@570µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2103pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@11.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2552
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2800pF@25V
连续漏极电流：5A€37A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@16A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R075CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：188W
阈值电压：4.5V@570µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2103pF@400V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@11.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R4-30MLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3264pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R080P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：129W
阈值电压：4V@590µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2180pF@400V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@11.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R080P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：129W
阈值电压：4V@590µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2180pF@400V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@11.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R080P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：129W
阈值电压：4V@590µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@400V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@11.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R090CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.5V@570µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2103pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@11.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R4-30MLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3264pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R4-30MLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3264pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R080P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：129W
阈值电压：4V@590µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2180pF@400V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@11.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD25N15-52_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD031N03LGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：94W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@15V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4050EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2406pF@20V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R090CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：124W
阈值电压：4.5V@570µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2103pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@11.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ402EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2286pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5832NLWFT3G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€127W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4050EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2406pF@20V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZA60R080P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：129W
阈值电压：4V@590µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2180pF@400V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@11.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW13N95K3
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1620pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@5A，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R090CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.5V@570µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2103pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@11.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7495TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1530pF@25V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R090CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：124W
阈值电压：4.5V@570µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2103pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@11.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：20+
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP33N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：127W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5810，"21+"：2925，"22+"：6112，"24+"：3000，"MI+"：8521}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT299N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1948pF@380V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R4-30MLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3264pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
