采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB6413ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@42A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2552
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2800pF@25V
连续漏极电流：5A€37A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@16A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：20+
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP33N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：127W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB6413ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@42A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2552
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@25V
连续漏极电流：5A€37A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@16A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD19N20-90-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD19N20-90-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"15+"：1085}
包装规格(MPQ)：268psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP6413ANG
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@42A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFSL11N50APBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1426pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@6.6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：15+
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB6413ANG
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@42A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD19N20-90-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：607}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2552-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@25V
连续漏极电流：5A€37A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@16A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD19N20-90-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2552
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@25V
连续漏极电流：5A€37A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@16A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2552
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@25V
连续漏极电流：5A€37A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@16A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB6413ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@42A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFSL11N50APBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1426pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@6.6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD19N20-90-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB6413ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@42A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD19N20-90-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2552
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@25V
连续漏极电流：5A€37A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@16A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFSL11N50APBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1426pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@6.6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD19N20-90-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD19N20-90-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2552
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@25V
连续漏极电流：5A€37A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@16A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：268psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP6413ANG
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@42A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFSL11N50APBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1426pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@6.6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：607}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2552-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@25V
连续漏极电流：5A€37A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@16A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFSL11N50APBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1426pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@6.6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD19N20-90-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
