品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R019C7FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:4V@2.92mA
栅极电荷:215nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9900pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@58.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R019C7FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:4V@2.92mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:215nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9900pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@58.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT75N10L2
工作温度:-55℃~150℃
功率:400W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:215nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8100pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ65R019C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:4V@2.92mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:215nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9900pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@58.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ65R019C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:4V@2.92mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:215nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9900pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@58.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ65R019C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:4V@2.92mA
栅极电荷:215nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9900pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@58.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R019C7FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:4V@2.92mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:215nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9900pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@58.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ65R019C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:4V@2.92mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:215nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9900pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@58.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH072N60F
工作温度:-55℃~150℃
功率:481W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:215nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8660pF@100V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@26A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ65R019C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:4V@2.92mA
栅极电荷:215nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9900pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@58.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH072N60F
工作温度:-55℃~150℃
功率:481W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:215nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8660pF@100V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@26A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R019C7FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:4V@2.92mA
栅极电荷:215nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9900pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@58.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R019C7FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:4V@2.92mA
栅极电荷:215nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9900pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@58.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ65R019C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:4V@2.92mA
栅极电荷:215nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9900pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@58.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH072N60F
工作温度:-55℃~150℃
功率:481W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:215nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8660pF@100V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@26A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R019C7FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:4V@2.92mA
栅极电荷:215nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9900pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@58.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R019C7FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:4V@2.92mA
栅极电荷:215nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9900pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@58.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ65R019C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:4V@2.92mA
栅极电荷:215nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9900pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@58.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R019C7FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:4V@2.92mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:215nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9900pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@58.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH072N60F
工作温度:-55℃~150℃
功率:481W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:215nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8660pF@100V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@26A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH072N60F
工作温度:-55℃~150℃
功率:481W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@26A,10V
栅极电荷:215nC@10V
包装方式:管件
漏源电压:600V
连续漏极电流:52A
ECCN:EAR99
输入电容:8660pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R019C7FKSA1
导通电阻:19mΩ@58.3A,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:4V@2.92mA
类型:N沟道
连续漏极电流:75A
漏源电压:650V
栅极电荷:215nC@10V
包装方式:管件
ECCN:EAR99
输入电容:9900pF@400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTX20N150
工作温度:-55℃~150℃
功率:1250W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:215nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7800pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@10A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTX20N150
工作温度:-55℃~150℃
功率:1250W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:215nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7800pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@10A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):APT43M60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:780W
阈值电压:5V@2.5mA
栅极电荷:215nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8590pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@21A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ65R019C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:4V@2.92mA
栅极电荷:215nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9900pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@58.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH043N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:592W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:215nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12225pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:43mΩ@38A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH043N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:592W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:215nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12225pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:43mΩ@38A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH043N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:592W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:215nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12225pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:43mΩ@38A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R019C7FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:4V@2.92mA
栅极电荷:215nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9900pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@58.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: