采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：19350，"MI+"：1350}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL095N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：272W
阈值电压：5V@860µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2930pF@400V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@18A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86150A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€113W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4665pF@50V
连续漏极电流：16A€60A
类型：N沟道
导通电阻：4.85mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR846ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP095N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：272W
阈值电压：5V@860µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2930pF@400V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@18A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL095N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：272W
阈值电压：5V@860µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2930pF@400V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@18A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7660S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4325pF@15V
连续漏极电流：20A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR688DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3105pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLI640GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：9.9A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5.9A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7660S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4325pF@15V
连续漏极电流：20A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR846ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR846ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH8311TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€96W
阈值电压：2.35V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4960pF@10V
连续漏极电流：32A€169A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB15N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1162pF@100V
连续漏极电流：14.5A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@7.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5625，"22+"：2889，"23+"：3177}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7660S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4325pF@15V
连续漏极电流：20A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH8311TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€96W
阈值电压：2.35V@100µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4960pF@10V
连续漏极电流：32A€169A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR846ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB095N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：272W
阈值电压：5V@860µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2930pF@400V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@18A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB15N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1162pF@100V
连续漏极电流：14.5A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@7.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR846ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：19350，"MI+"：1350}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL095N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：272W
阈值电压：5V@860µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2930pF@400V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@18A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR846ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5625，"22+"：2889，"23+"：3177}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7660S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4325pF@15V
连续漏极电流：20A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR846ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI740GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@3.2A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：19350，"MI+"：1350}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL095N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：272W
阈值电压：5V@860µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2930pF@400V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@18A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR688DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3105pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：19350，"MI+"：1350}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL095N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：272W
阈值电压：5V@860µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2930pF@400V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@18A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL095N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：272W
阈值电压：5V@860µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2930pF@400V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@18A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7660S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4325pF@15V
连续漏极电流：20A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI740GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@3.2A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
