品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFK88N30P
工作温度:-55℃~150℃
功率:600W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:盒
输入电容:6300pF@25V
连续漏极电流:88A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@44A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTL2N470
工作温度:-55℃~150℃
功率:220W
阈值电压:6V@250µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6860pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:20Ω@1A,10V
漏源电压:4700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK755R4-100E,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:349W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11810pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N08S207ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:7.1mΩ@80A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB3307PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@150µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5150pF@50V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@75A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N08S207ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:7.1mΩ@80A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1405ZPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4780pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@75A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK62N60W,S1VF
工作温度:150℃
功率:400W
阈值电压:3.7V@3.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6500pF@300V
连续漏极电流:61.8A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@30.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB3307PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@150µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5150pF@50V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@75A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP315N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:315W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12800pF@25V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@60A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1405ZPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4780pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@75A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRF1324WL
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7630pF@19V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@195A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":500,"18+":3300,"9999":301}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7E5R2-100E,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:349W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11810pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP160N055TUJ-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10350pF@25V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@80A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFK100N65X2
工作温度:-55℃~150℃
功率:1040W
阈值电压:5.5V@4mA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:11300pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@50A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP310N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:315W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12800pF@25V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@60A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1405ZPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4780pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@75A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP1405PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5600pF@25V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@95A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR500DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104.1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8960pF@15V
连续漏极电流:85.9A€350.8A
类型:N沟道
导通电阻:0.47mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS4410TRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@150µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5150pF@50V
连续漏极电流:88A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@58A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT260L
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.9W€330W
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:14200pF@30V
连续漏极电流:20A€140A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4410PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5150pF@50V
连续漏极电流:88A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@58A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1650}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1405ZPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4780pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@75A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4410PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@150µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5150pF@50V
连续漏极电流:88A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@58A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPTC014N08NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:3.8V@230µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@40V
连续漏极电流:37A€330A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4410PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5150pF@50V
连续漏极电流:88A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@58A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1405ZPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4780pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@75A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4410PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@150µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5150pF@50V
连续漏极电流:88A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@58A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR500DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104.1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8960pF@15V
连续漏极电流:85.9A€350.8A
类型:N沟道
导通电阻:0.47mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":500,"18+":3300,"9999":301}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7E5R2-100E,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:349W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11810pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: