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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：33000，"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4H013NFT1G
工作温度：150℃
功率：2.7W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3923pF@12V
连续漏极电流：43A€269A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：33000，"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4H013NFT1G
工作温度：150℃
功率：2.7W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3923pF@12V
连续漏极电流：43A€269A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4H013NFT1G
工作温度：150℃
功率：2.7W€104W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：43A€269A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4H013NFT1G
工作温度：150℃
功率：2.7W€104W
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栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：43A€269A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：999}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0703DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：25W
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4150pF@10V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@35A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4H013NFT1G
工作温度：150℃
功率：2.7W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3923pF@12V
连续漏极电流：43A€269A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6530KNX3C16
工作温度：150℃
功率：307W
阈值电压：5V@960µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2350pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@14.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6530KNX3C16
工作温度：150℃
功率：307W
阈值电压：5V@960µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2350pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@14.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6530KNX3C16
工作温度：150℃
功率：307W
阈值电压：5V@960µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2350pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@14.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：33000，"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4H013NFT1G
工作温度：150℃
功率：2.7W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3923pF@12V
连续漏极电流：43A€269A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：33000，"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4H013NFT1G
工作温度：150℃
功率：2.7W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
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输入电容：3923pF@12V
连续漏极电流：43A€269A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：33000，"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4H013NFT1G
工作温度：150℃
功率：2.7W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3923pF@12V
连续漏极电流：43A€269A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4H013NFT1G
工作温度：150℃
功率：2.7W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3923pF@12V
连续漏极电流：43A€269A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0703DPN-A0#T2
工作温度：150℃
功率：125W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4150pF@10V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@35A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4H013NFT1G
工作温度：150℃
功率：2.7W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3923pF@12V
连续漏极电流：43A€269A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：999}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0703DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：25W
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4150pF@10V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@35A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：999}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0703DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：25W
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4150pF@10V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@35A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4H013NFT1G
工作温度：150℃
功率：2.7W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3923pF@12V
连续漏极电流：43A€269A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：R6530KNX3C16
工作温度：150℃
阈值电压：5V@960µA
类型：N沟道
输入电容：2350pF@25V
漏源电压：650V
功率：307W
包装方式：管件
栅极电荷：56nC@10V
导通电阻：140mΩ@14.5A，10V
连续漏极电流：30A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4H013NFT1G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
类型：N沟道
漏源电压：25V
功率：2.7W€104W
连续漏极电流：43A€269A
阈值电压：2.1V@250µA
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：3923pF@12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6530KNX3C16
工作温度：150℃
功率：307W
阈值电压：5V@960µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2350pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@14.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6530KNX3C16
工作温度：150℃
功率：307W
阈值电压：5V@960µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2350pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@14.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4H013NFT1G
工作温度：150℃
功率：2.7W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3923pF@12V
连续漏极电流：43A€269A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4H013NFT1G
工作温度：150℃
功率：2.7W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3923pF@12V
连续漏极电流：43A€269A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：999}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0703DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：25W
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4150pF@10V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@35A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0703DPN-A0#T2
工作温度：150℃
功率：125W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4150pF@10V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@35A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：999}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0703DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：25W
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4150pF@10V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@35A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6530KNX3C16
工作温度：150℃
功率：307W
阈值电压：5V@960µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2350pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@14.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：999}
规格型号(MPN)：RJK0703DPP-E0#T2
漏源电压：75V
工作温度：150℃
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
功率：25W
包装方式：管件
输入电容：4150pF@10V
栅极电荷：56nC@10V
导通电阻：6.7mΩ@35A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
