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    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA28BDP-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA28BDP-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA28BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.8W€17W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:582pF@15V

    连续漏极电流:18A€38A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Comchip Mosfet场效应管 CMS16N06D-HF 起订3个装
    Comchip Mosfet场效应管 CMS16N06D-HF 起订3个装

    品牌:Comchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CMS16N06D-HF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€27W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:815pF@15V

    连续漏极电流:4.4A€16A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3021LFDF-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3021LFDF-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3021LFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.03W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:706pF@15V

    连续漏极电流:11.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N03S4L14ATMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N03S4L14ATMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD30N03S4L14ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:31W

    阈值电压:2.2V@10µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:980pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF620STRRPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF620STRRPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF620STRRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€50W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:260pF@25V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3021LFDF-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3021LFDF-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3021LFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.03W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:706pF@15V

    连续漏极电流:11.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP25N10F7 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STP25N10F7 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP25N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:920pF@50V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSD050N10TL 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSD050N10TL 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSD050N10TL

    工作温度:150℃

    功率:15W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P050SNTL1 起订2500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P050SNTL1 起订2500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3P050SNTL1

    工作温度:150℃

    功率:15W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR224TRPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR224TRPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR224TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:260pF@25V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1Ω@2.3A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N03S4L14ATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N03S4L14ATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD30N03S4L14ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:31W

    阈值电压:2.2V@10µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:980pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ30N10S5L240ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ30N10S5L240ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUZ30N10S5L240ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45.5W

    阈值电压:2.2V@15µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:832pF@50V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF620SPBF 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF620SPBF 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF620SPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€50W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:260pF@25V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD25N10F7 起订6个装
    ST Mosfet场效应管 STD25N10F7 起订6个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD25N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:40W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@50V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF620STRRPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF620STRRPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF620STRRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€50W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:260pF@25V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR220TRPBF 起订8个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR220TRPBF 起订8个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR220TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:260pF@25V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N03S4L14ATMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N03S4L14ATMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD30N03S4L14ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:31W

    阈值电压:2.2V@10µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:980pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMC8884 起订1106个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMC8884 起订1106个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":130,"10+":26145,"11+":14322,"12+":54870,"13+":5326,"14+":27000,"16+":3000,"17+":303694,"MI+":6060}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8884

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€18W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:685pF@15V

    连续漏极电流:9A€15A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ30N10S5L240ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ30N10S5L240ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUZ30N10S5L240ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45.5W

    阈值电压:2.2V@15µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:832pF@50V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD6NF10T4 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STD6NF10T4 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD6NF10T4

    工作温度:-65℃~175℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD7NM60N 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STD7NM60N 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD7NM60N

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:363pF@50V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD480 起订13个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD480 起订13个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD480

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€21W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:820pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6D22-30EX 起订13个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6D22-30EX 起订13个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6D22-30EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W€19W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@15V

    连续漏极电流:7.2A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18541F5 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18541F5 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18541F5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:777pF@30V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFU1N60APBF 起订75个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFU1N60APBF 起订75个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFU1N60APBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:36W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:229pF@25V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:7Ω@840mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF620SPBF 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF620SPBF 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF620SPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€50W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:260pF@25V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD220PBF 起订200个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD220PBF 起订200个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFD220PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:260pF@25V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@480mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ST Mosfet场效应管 STN2NF10 起订7个装
    ST Mosfet场效应管 STN2NF10 起订7个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STN2NF10

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@25V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:260mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR220TRLPBF 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR220TRLPBF 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR220TRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:260pF@25V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6D22-30EX 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6D22-30EX 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6D22-30EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W€19W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@15V

    连续漏极电流:7.2A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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