品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA28BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€17W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:582pF@15V
连续漏极电流:18A€38A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Comchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CMS16N06D-HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€27W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:815pF@15V
连续漏极电流:4.4A€16A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3021LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.03W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:706pF@15V
连续漏极电流:11.8A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF620STRRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€50W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:260pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@3.1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3021LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.03W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:706pF@15V
连续漏极电流:11.8A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR224TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:260pF@25V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@2.3A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF620STRRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€50W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:260pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@3.1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR220TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:260pF@25V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@2.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":130,"10+":26145,"11+":14322,"12+":54870,"13+":5326,"14+":27000,"16+":3000,"17+":303694,"MI+":6060}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8884
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€18W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:685pF@15V
连续漏极电流:9A€15A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18541F5
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:777pF@30V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN2NF10
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@1.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR220TRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:260pF@25V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@2.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL7N10F7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W€50W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@50V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@3.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR220TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:260pF@25V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@2.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN2NF10
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@1.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18541F5
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:777pF@30V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLL014NTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@2A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLL014NTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@2A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF620STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€50W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:260pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@3.1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLL014NTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@2A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLL014NTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@2A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL024ZTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:5.1A
类型:N沟道
导通电阻:57.5mΩ@3.1A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLL014NTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@2A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R360CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:43W
阈值电压:4.5V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:679pF@400V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@2.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Comchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CMS16N06D-HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€27W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:815pF@15V
连续漏极电流:4.4A€16A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL024ZTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:5.1A
类型:N沟道
导通电阻:57.5mΩ@3.1A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF620STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€50W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:260pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@3.1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR224TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:260pF@25V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@2.3A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18541F5
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:777pF@30V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18541F5
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:777pF@30V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: