采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055-094T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055-094T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFU18N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP18N65M2
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055-094T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP18N65M2
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055-094T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055-094T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055-094T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055-094T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFU18N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055-094T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP18N65M2
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055-094T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF18N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF18N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055-094T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055-094T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055-094T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055-094T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055-094T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055-094T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055-094T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP18N65M2
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP18N65M2
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF18N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055-094T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055-094T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP18N65M2
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF18N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
