采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH6400ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@6.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4014LFVWQ-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@20V
连续漏极电流：11.5A€49.8A
类型：N沟道
导通电阻：13.7mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3406L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：495pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4014LFVWQ-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@20V
连续漏极电流：11.5A€49.8A
类型：N沟道
导通电阻：13.7mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：13500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y20-30B，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：59W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：688pF@25V
连续漏极电流：39.5A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3406L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：495pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3406L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：495pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3406L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：495pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3406L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：495pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3406L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：495pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH6400ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@6.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH6400ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@6.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：13500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y20-30B，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：59W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：688pF@25V
连续漏极电流：39.5A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3406L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：495pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3406L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：495pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH6400ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@6.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH6400ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@6.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3406L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：495pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3406L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：495pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3406L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：495pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH6400ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@6.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3406L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：495pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3406L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：495pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3406L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：495pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3406L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：495pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3406L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：495pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3406L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：495pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3406L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：495pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3406L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：495pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3406L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：495pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
