采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP90330E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1172pF@100V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：37.5mΩ@12.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"01+"：1000，"03+"：1670，"04+"：1567}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP22N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB190CF C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：59.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1311pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@3.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB190CF C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：59.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1311pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@3.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP90330E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1172pF@100V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：37.5mΩ@12.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB190CF C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：59.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1311pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@3.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB190CF C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：59.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1311pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@3.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP90330E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1172pF@100V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：37.5mΩ@12.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"01+"：1000，"03+"：1670，"04+"：1567}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP22N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP22N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
