品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":9784}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC120N04S6L009ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7806pF@25V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:960mΩ@60A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C404NWFET1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@25V
连续漏极电流:53A€378A
类型:N沟道
导通电阻:0.70mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":14000}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP90N06S404AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10400pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@90A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP50020E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:管件
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC120N04S6L009ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7806pF@25V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:960mΩ@60A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C404NAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@25V
连续漏极电流:53A€378A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C404NWFET1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@25V
连续漏极电流:53A€378A
类型:N沟道
导通电阻:0.70mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC120N04S6L009ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7806pF@25V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:960mΩ@60A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C404NAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@25V
连续漏极电流:53A€378A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":300000,"23+":16703,"MI+":25000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD100N06S403ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10400pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3027}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC005N03LS5IATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€188W
阈值电压:2V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8000pF@15V
连续漏极电流:42A€433A
类型:N沟道
导通电阻:0.55mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":4947}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4931NT1G-IRH1
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW€104W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:散装
输入电容:9821pF@15V
连续漏极电流:23A€246A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN7R6-100BSEJ
工作温度:-55℃~175℃
功率:296W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7110pF@50V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C404NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€200W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@25V
连续漏极电流:378A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD100N06S403ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10400pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N06S404ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10400pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@90A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":300000,"23+":16703,"MI+":25000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD100N06S403ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10400pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":189381}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C404NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@25V
连续漏极电流:53A€378A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD100N06S403ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10400pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":4947}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4931NT1G-IRH1
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW€104W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:散装
输入电容:9821pF@15V
连续漏极电流:23A€246A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":189381}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C404NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@25V
连续漏极电流:53A€378A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C404NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@25V
连续漏极电流:378A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":22200}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP80N06MLG-S18-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€115W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:散装
输入电容:6900pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8.6mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":189381}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C404NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@25V
连续漏极电流:53A€378A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":300000,"23+":16703,"MI+":25000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD100N06S403ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10400pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N06S404ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10400pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@90A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":22200}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP80N06MLG-S18-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€115W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:散装
输入电容:6900pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8.6mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C404NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€200W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@25V
连续漏极电流:53A€378A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD100N06S403ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10400pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C404NAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@25V
连续漏极电流:53A€378A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: